检测项目

载流子浓度：测量范围1×10¹²~1×10²⁰ cm⁻³

霍耳系数：精度±0.5%，磁场强度0.1~2.0 T

电阻率：分辨率0.01 μΩ·cm

迁移率计算：基于Van der Pauw法计算误差≤3%

温度依赖性：测试温区4.2~500 K

检测范围

单晶半导体材料：硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)

化合物半导体：氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)

薄膜材料：ITO透明导电膜、有机半导体薄膜

低维材料：石墨烯、过渡金属硫化物(TMDC)

热电材料：碲化铋(Bi₂Te₃)、硒化锡(SnSe)

检测方法

ASTM F76-08(2016)：半导体材料霍耳效应测量标准规程

ISO 14707:2021：表面分析-霍耳效应测量技术指南

GB/T 1551-2016：硅单晶电阻率及霍耳系数测试方法

GB/T 13388-2008：半导体材料导电类型测试方法

IEC 60404-13:2018：磁性材料-霍耳效应测量规范

检测设备

Lake Shore CRX-VF Probe Station：配备4轴低温探针台(-269~300℃)

Keithley 4200A-SCS参数分析仪：支持DC~1MHz频率扫描

Oxford Instruments TeslatronPT：1.5T超导磁体系统

Agilent B1500A半导体分析仪：10fA~1A电流分辨率

Janis Research ST-500变温系统：4.2~800K连续控温