检测项目
电阻率测试：测量范围0.001-1000 Ω·cm，精度±2%
载流子浓度分析：覆盖10^12-10^20 cm^-3量级
晶体缺陷检测：识别位错密度（＜500/cm²）、层错尺寸（10nm-5μm）
表面污染物分析：金属离子含量≤1×10^10 atoms/cm²
薄膜厚度测量：分辨率达0.1nm（10-1000nm范围）
检测范围
单晶硅片：用于集成电路制造基材
多晶硅锭：光伏电池核心原料
外延层材料：厚度0.5-50μm的异质结结构
掺杂硅材料：硼/磷掺杂浓度0.1-1000ppm
封装材料：有机硅树脂与金属引线框架
检测方法
ASTM F723：四探针法电阻率测试规范
ISO 14707：辉光放电质谱表面污染分析
GB/T 1551：半导体单晶导电类型判定方法
IEC 60749-25：高温存储寿命试验（150℃/1000h）
GB/T 14144：X射线衍射法缺陷密度测定
检测设备
RTS-9四探针测试仪：实现非破坏性电阻率测量
HMS-5000霍尔效应测试系统：载流子迁移率与浓度同步分析
PHI nanoTOF II二次离子质谱仪：表面元素三维分布成像
TEM Titan G2透射电镜：原子级晶体缺陷观测（分辨率0.1nm）
Bruker D8 X射线衍射仪：晶格畸变与应力分布测量