检测项目
能量分辨率：测量范围为1keV-10MeV，相对误差≤0.5%
时间分辨率：最小可测时间间隔50ps-10ns
探测效率：针对α/β/γ粒子分别设定60-99%验收阈值
噪声本底：暗计数率≤100cps/cm²（25℃工况）
线性响应度：在动态范围1:10⁶内偏差＜±1.5%
检测范围
半导体探测器材料：硅漂移室(SDD)、碲锌镉(CZT)
闪烁体探测器：NaI(Tl)、BGO、LYSO晶体
气体探测器：多丝正比室(MWPC)、漂移管阵列
光电倍增管：双碱/超双碱型光阴极组件
复合探测器：CsI+Si-PIN混合探测模块
检测方法
ASTM E2677-19：半导体探测器能量刻度方法
ISO 20042:2019：放射性测量用γ谱仪性能验证
GB/T 13179-2021：闪烁体光输出测量规范
IEC 62327-2017：手持式辐射探测装置性能要求
GB 11685-2021：高纯锗γ谱仪本底测试方法
检测设备
ORTEC GEM-Series高纯锗能谱仪：能量分辨率＜0.15%@1.33MeV
CAEN DT5720时间数字转换器：25ps时间测量精度
HAMAMATSU C12137绝对光产额测试系统：波长覆盖200-850nm
ISOTOPE Solutions HPGe校准源组：活度不确定度±1.2%(k=2)
Crytur SCINTI_TEST3闪烁体综合测试平台：温度控制范围-40℃~150℃