检测项目

能量分辨率：测量范围为1keV-10MeV，相对误差≤0.5%

时间分辨率：最小可测时间间隔50ps-10ns

探测效率：针对α/β/γ粒子分别设定60-99%验收阈值

噪声本底：暗计数率≤100cps/cm²（25℃工况）

线性响应度：在动态范围1:10⁶内偏差＜±1.5%

检测范围

半导体探测器材料：硅漂移室(SDD)、碲锌镉(CZT)

闪烁体探测器：NaI(Tl)、BGO、LYSO晶体

气体探测器：多丝正比室(MWPC)、漂移管阵列

光电倍增管：双碱/超双碱型光阴极组件

复合探测器：CsI+Si-PIN混合探测模块

检测方法

ASTM E2677-19：半导体探测器能量刻度方法

ISO 20042:2019：放射性测量用γ谱仪性能验证

GB/T 13179-2021：闪烁体光输出测量规范

IEC 62327-2017：手持式辐射探测装置性能要求

GB 11685-2021：高纯锗γ谱仪本底测试方法

检测设备

ORTEC GEM-Series高纯锗能谱仪：能量分辨率＜0.15%@1.33MeV

CAEN DT5720时间数字转换器：25ps时间测量精度

HAMAMATSU C12137绝对光产额测试系统：波长覆盖200-850nm

ISOTOPE Solutions HPGe校准源组：活度不确定度±1.2%(k=2)

Crytur SCINTI_TEST3闪烁体综合测试平台：温度控制范围-40℃~150℃