检测项目

能量分辨率：测量特征峰半高宽（FWHM），要求≤5%（@662 keV）

线性范围：验证10 keV-10 MeV能区响应偏差＜±3%

探测效率：校准137Cs源（662 keV）绝对效率＞25%

时间分辨率：测定脉冲上升时间＜50 ns（NaI晶体）

本底噪声：评估暗电流＜1 nA/cm²（Si-PIN探测器）

检测范围

塑料闪烁体：用于快中子探测的BC-408型聚乙烯基甲苯材料

半导体探测器：高纯锗（HPGe）/硅漂移室（SDD）器件

气体电离室：充氩/氙气密封式电离探测器

闪烁晶体：掺铊碘化钠（NaI(Tl)）/锗酸铋（BGO）晶体

复合探测器：多层硅-钨结构穿越辐射探测器组件

检测方法

ASTM E1249-23：辐射探测器能量线性度测试规程

ISO 18589-4:2019：半导体探测器本征效率测定方法

GB/T 13179-2021：闪烁体光输出均匀性测试规范

IEC 61563-2001：辐射防护仪器γ射线能谱分析要求

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与穿越辐射探器检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。