检测项目

阈值电压温度系数（Vth-TC）：-3 mV/℃至+5 mV/℃

载流子迁移率温度系数（μ-TC）：-1.5%/℃至+0.8%/℃

漏极电流温度漂移（Id-TD）：±15%@-55℃~150℃

亚阈值摆幅温度依赖性（SS-TD）：≤0.1 mV/dec/℃

栅极泄漏电流温变特性（Ig-TC）：≤1 nA/℃@Vg=±5V

检测范围

半导体材料：硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)

功率器件：MOSFET、IGBT、HEMT

集成电路：CMOS逻辑器件、FinFET结构单元

纳米材料：二维过渡金属硫化物(TMDC)、量子点薄膜

光电器件：LED芯片、激光二极管有源区

检测方法

ASTM F1248-16：半导体器件温度特性测试标准方法

ISO 16700:2019：微束分析-场效应晶体管电学参数温度依赖性测定

GB/T 20255-2018：半导体分立器件热特性测试方法

GB 4937-2022：半导体器件机械和气候试验方法

JEDEC JESD22-A108F：温度循环与偏置寿命试验规范

检测设备

Keysight B1500A半导体参数分析仪：支持-70℃~300℃温控探针台集成测试

Tektronix 4200A-SCS参数分析系统：具备脉冲IV模式下的动态温变特性分析功能

Cascade Summit 12000B-M：高精度微波探针台与液氮制冷系统联用平台

ESPEC T系列高低温试验箱：温度范围-70℃~200℃，精度±0.5℃

Keithley 2636B双通道源表：支持10fA分辨率电流测量与同步温度补偿校准