半导体参数分析仪检测

检测项目

1.电流-电压（IV）特性曲线：测量范围100V/1A，分辨率0.1nA

2.阈值电压（Vth）：精度0.5mV，适用MOSFET/IGBT器件

3.漏电流（Ioff）：量程1pA-10μA，温度范围-55℃~150℃

4.跨导（gm）：频率DC-1MHz，最大偏置电压40V

5.击穿电压（BVdss）：步进电压0.1V/s，保护电流阈值10mA

检测范围

1.硅基材料：包括单晶硅、多晶硅及SOI晶圆

2.化合物半导体：GaAs、GaN、SiC功率器件

3.光电器件：LED芯片、光电二极管响应特性

4.存储器件：DRAM/NANDFlash单元特性分析

5.纳米器件：FinFET、纳米线晶体管三维结构测试

检测方法

1.IV测试：依据IEC60747-1/GB/T17573

2.CV特性：ASTMF1392高频C-V测量规范

3.脉冲测试：JESD28-A瞬态热阻标准

4.可靠性验证：JEDECJESD22-A108温度循环试验

5.噪声测量：IEEESTD1139相位噪声测试规程

检测设备

1.KeysightB1500A：支持DC-1GHzIV/CV/脉冲测试

2.Agilent4156C：0.1fA分辨率精密参数分析仪

3.Keithley4200-SCS：集成探针台的晶圆级测试系统

4.TektronixPA3000：功率器件动态参数分析模块

5.AdvantestE5360B：支持64通道并行测试架构

6.FormFactorCM300xi-ULN：低温（4K）纳米探针系统

7.LakeShoreCRX-4K：强磁场（4T）环境测试平台

8.CascadeSummit12000AP：12英寸全自动探针台

9.HPROBEP12-XL：三维封装芯片微间距测试方案

10.MPITS2000-SE：高精度热阻测量模块

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"半导体参数分析仪检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。