检测项目
1.电流-电压（IV）特性曲线：测量范围100V/1A，分辨率0.1nA
2.阈值电压（Vth）：精度0.5mV，适用MOSFET/IGBT器件
3.漏电流（Ioff）：量程1pA-10μA，温度范围-55℃~150℃
4.跨导（gm）：频率DC-1MHz，最大偏置电压40V
5.击穿电压（BVdss）：步进电压0.1V/s，保护电流阈值10mA
检测范围
1.硅基材料：包括单晶硅、多晶硅及SOI晶圆
2.化合物半导体：GaAs、GaN、SiC功率器件
3.光电器件：LED芯片、光电二极管响应特性
4.存储器件：DRAM/NANDFlash单元特性分析
5.纳米器件：FinFET、纳米线晶体管三维结构测试
检测方法
1.IV测试：依据IEC60747-1/GB/T17573
2.CV特性：ASTMF1392高频C-V测量规范
3.脉冲测试：JESD28-A瞬态热阻标准
4.可靠性验证：JEDECJESD22-A108温度循环试验
5.噪声测量：IEEESTD1139相位噪声测试规程
检测设备
1.KeysightB1500A：支持DC-1GHzIV/CV/脉冲测试
2.Agilent4156C：0.1fA分辨率精密参数分析仪
3.Keithley4200-SCS：集成探针台的晶圆级测试系统
4.TektronixPA3000：功率器件动态参数分析模块
5.AdvantestE5360B：支持64通道并行测试架构
6.FormFactorCM300xi-ULN：低温（4K）纳米探针系统
7.LakeShoreCRX-4K：强磁场（4T）环境测试平台
8.CascadeSummit12000AP：12英寸全自动探针台
9.HPROBEP12-XL：三维封装芯片微间距测试方案
10.MPITS2000-SE：高精度热阻测量模块