局部电子衍射检测

检测项目

1.晶体结构分析：晶面间距测量精度0.002nm，晶格常数误差范围≤0.3%

2.缺陷表征：位错密度检测范围10⁶-10cm⁻，层错能计算误差≤5%

3.物相鉴定：最小相含量检出限0.5vol%，空间分辨率≤2nm

4.晶粒取向分析：取向差角测量精度0.1，菊池带标定误差≤0.5

5.应力应变测量：局部应变灵敏度50με，应力分布图空间分辨率10nm

检测范围

1.金属材料：铝合金时效析出相、钛合金α/β相界面结构

2.半导体材料：SiGe异质结界面缺陷、GaN位错密度分布

3.纳米材料：量子点晶体结构、碳纳米管手性指数测定

4.陶瓷材料：ZrO₂相变机制分析、SiC晶界非晶层厚度测量

5.复合材料：金属基复合材料界面扩散层、陶瓷涂层残余应力分布

检测方法

ASTME3061-17《透射电镜选区衍射校准规范》

ISO25498:2018《微束分析-电子背散射衍射分析方法》

GB/T27788-2020《微束分析透射电子显微术选区电子衍射分析方法》

GB/T36065-2018《纳米材料表征用透射电子显微镜方法》

ISO16700:2016《微束分析-扫描电镜能谱仪性能参数测定》

检测设备

1.FEITalosF200X：场发射透射电镜，配备SuperX能谱仪，可实现0.12nm点分辨率

2.JEOLJEM-ARM300F：原子分辨率电镜，球差校正后分辨率达0.05nm

3.ThermoFisherSpectra300：单色器电子源，能量分辨率<0.1eV

4.HitachiHF5000：冷场发射电镜，配备四探头EDX系统

5.GatanOneViewCMOS相机：4k4k像素，最高采集速率25fps

6.BrukerQUANTAXMicro-XRF：同步辐射兼容能谱系统

7.NanoMEGASASTAR相位识别系统：纳米束衍射取向成像装置

8.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器：用于菊池花样自动标定

9.DENSsolutionsWildfire加热台：最高温度1200℃，温度稳定性1℃

10.FischioneModel1061样品制备系统：离子减薄仪最小减薄速率0.1μm/h

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"局部电子衍射检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。