检测项目

1.阈值电压（Vth）：测量栅极电压使沟道形成的最小值（典型范围0.5-5V）

2.漏源饱和电流（Idss）：最大漏极电流（测试条件Vds=10V,Vgs=0V）

3.跨导（gm）：输出电流变化与输入电压变化的比值（单位mS）

4.击穿电压（BVdss）：漏源极间最大耐受电压（测试至器件失效临界点）

5.开关时间：包含开启延迟时间（td(on)）与关断延迟时间（td(off)），精度要求1ns

检测范围

1.硅基场效应晶体管（SiFET）

2.碳化硅场效应晶体管（SiCFET）

3.氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）

4.有机半导体场效应晶体管（OFET）

5.射频功率场效应管（RFLDMOS）

检测方法

1.静态参数测试：依据IEC60747-8:2010及GB/T17573-1998标准

2.动态特性分析：采用ASTMF1241-22脉冲测试规程

3.高温反偏试验：参照JESD22-A108E加速寿命测试方法

4.噪声系数测量：执行GB/T15654-1995高频参数测试规范

5.失效分析：基于ISO26262:2018功能安全评估框架

检测设备

1.KeysightB1500A半导体器件分析仪：支持DC-IV/CV特性曲线扫描

2.TektronixDPO70000SX示波器：70GHz带宽高速信号采集

3.CascadeSummit12000探针台：支持-65℃~300℃温控测试

4.AgilentN6705C直流电源模块：最小电流分辨率10fA

5.ThermoScientificHeliosG4PFIB：纳米级结构失效分析

6.AdvantestU3242A网络分析仪：40GHz矢量网络参数测量

7.ESPECSH-641环境试验箱：温度循环范围-70℃~180℃

8.Keithley2636B源表：双通道高精度脉冲信号输出