检测项目

1.反向击穿电压（V_BR）：测试范围为50V至1500V，精度1.5%

2.正向导通电流（I_F）：标称值0.1A至50A，温升条件下偏差≤3%

3.反向恢复时间（t_rr）：测量范围5ns至500ns，重复性误差＜5%

4.热阻系数（R_θJC）：典型值0.5C/W至10C/W，采用瞬态热阻抗法

5.漏电流（I_R）：反向电压80%V_BR时测量值≤10μA

检测范围

1.高频通信模块用超快恢复二极管（t_rr＜50ns）

2.工业电源整流器用高压硅基二极管（V_BR≥1200V）

3.汽车电子系统用耐高温肖特基二极管（工作温度-55C至175C）

4.消费电子产品用低功耗贴片二极管（封装尺寸0402/0603）

5.医疗设备用低噪声PIN二极管（噪声系数≤2dB）

检测方法

1.ASTMF123-2018：半导体器件反向击穿电压测试规范

2.IEC60747-1:2022：分立器件通用测试方法

3.GB/T6571-2020：半导体二极管正向特性测试方法

4.JEDECJESD51-14：瞬态热阻抗测量标准

5.ISO16750-4:2010：汽车电子环境可靠性试验要求

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000V/1000A脉冲测试

2.TektronixDPO7254数字示波器：带宽2.5GHz，用于t_rr/开关特性分析

3.Chroma19032高低温试验箱：温度范围-70C至+200C

4.Fluke8588A参考级万用表：8.5位分辨率，基本精度0.0015%

5.AgilentN6705C直流电源模块：输出功率300W，纹波＜10mV_rms

6.ThermoScientificCLIR-2红外热成像仪：热分辨率0.03C@30C

7.ESPECEHS-411M振动试验台：频率范围5Hz至2000Hz

8.HiokiIM3590阻抗分析仪：频率范围0.01Hz至200MHz

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与里德二极管检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。