检测项目

1.成分分析：测定Si/M元素比（精度0.1at%），杂质元素含量（检出限0.01wt%）

2.晶体结构表征：晶格常数测定（分辨率0.001），相组成分析（最小可识别相含量1%）

3.表面形貌观测：表面粗糙度Ra值（测量范围0.1nm-10μm），晶粒尺寸分布（统计精度5nm）

4.电学性能测试：电阻率测量（量程10^-6-10⁶Ωcm），载流子浓度（精度5%）

5.热稳定性评估：热膨胀系数测定（温度范围RT-1500℃，精度0.110^-6/℃），氧化起始温度（2℃）

检测范围

1.半导体器件用硅化物：CoSi₂/TiSi₂/WSi₂栅极材料

2.热电转换材料：β-FeSi₂/MnSi_1.73/CrSi₂基合金

3.高温防护涂层：MoSi₂/TaSi₂/NbSi₂基复合材料

4.电子陶瓷基体：ZrSi₂/HfSi₂/VSi₂烧结体

5.光伏材料：BaSi₂/Mg₂Si薄膜材料

检测方法

ASTME1587-21《标准测试方法用于火花原子发射光谱分析》进行主量元素测定

ISO14706:2014《表面化学分析-俄歇电子能谱术测定元素面分布》用于表面成分分析

GB/T23413-2009《纳米材料晶粒尺寸及微观应变的测定》规范XRD物相分析流程

ISO17470:2014《微束分析-电子探针显微分析-波长色散谱法通则》指导EPMA测试

GB/T1551-2021《硅单晶电阻率测定方法》适配四探针法测量规范

检测设备

RigakuSmartLabX射线衍射仪：配备高温附件（RT-1600℃），实现原位相变分析

TESCANMIRA4场发射扫描电镜：配置EBSD探测器（分辨率≤3nm），完成晶体取向分析

Agilent5900SVD电感耦合等离子体发射光谱仪：多元素同步检测（检出限≤0.1ppm）

KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持脉冲IV测试（最小脉宽100ns），精准表征界面特性

LinseisL75VD真空膨胀仪：实现超高温测试（最高2000℃）与气氛控制（真空度≤10^-5mbar）

BrukerDimensionIcon原子力显微镜：配备PeakForceTapping模式（Z轴分辨率0.1nm）

NetzschSTA449F3同步热分析仪：同步测定TG-DSC信号（温度精度0.1℃）

CascadeSummit12000探针台：支持12英寸晶圆级电学测试（温度范围77K-500K）

OxfordInstrumentsAztecEnergyX-MaxN能谱仪：大面积SDD探测器（面积80mm），实现快速元素面分布分析

SuzukiHall系统HL5500PC：配置液氮杜瓦装置（磁场强度0.55T），完成变温霍尔效应测试

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与过度金属硅化物检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。