超高真空外延技术检测

检测项目

1.残余气体分析（RGA）：压力范围≤110^-9Torr，质谱扫描范围1-300amu。

2.薄膜厚度测量：精度0.1nm，测量范围1nm-10μm。

3.表面粗糙度检测：原子力显微镜（AFM）分辨率0.1nmRMS。

4.晶体取向与缺陷分析：X射线衍射（XRD）角度分辨率0.001。

5.成分均匀性测试：二次离子质谱（SIMS）检出限≤110¹⁵atoms/cm³。

6.界面结合强度：纳米压痕法载荷范围0.1-500mN。

检测范围

1.III-V族半导体外延层（如GaAs、InP）。

2.二维材料异质结（如石墨烯/氮化硼）。

3.氧化物薄膜（如Al₂O₃、HfO₂）。

4.超导薄膜（如YBCO、MgB₂）。

5.金属有机外延（MOCVD）生长的LED结构层。

检测方法

1.ASTME112-13：晶粒度测定标准。

2.ISO14707:2015：辉光放电光谱成分分析。

3.GB/T16594-2008：微米级薄膜厚度测量方法。

4.ISO15472:2010：X射线光电子能谱表面分析。

5.GB/T19588-2017：纳米压痕硬度测试规范。

检测设备

1.HidenHAL501残余气体分析仪：四极杆质谱系统，灵敏度10^-14Torr。

2.BrukerDektakXT探针轮廓仪：垂直分辨率0.01nm。

3.ParkNX20原子力显微镜：非接触模式扫描精度0.15nm。

4.RigakuSmartLabX射线衍射仪：高分辨HRXRD模式最小步长0.0001。

5.ThermoScientificNexsaG2XPS：单色化AlKα光源，能量分辨率0.5eV。

6.Agilent8800三重四极杆ICP-MS：检出限低至ppt级。

7.ZEISSCrossbeam550聚焦离子束电镜：定位切割精度5nm。

8.KeysightNanoIndenterG200：动态接触模量测量范围1MPa-1TPa。

9.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：等离子体密度控制精度2%.

10.VeecoDimensionIcon扫描探针显微镜：峰值力轻敲模式力控分辨率10pN.