检测项目

1.残余气体分析（RGA）：压力范围≤110^-9Torr，质谱扫描范围1-300amu。

2.薄膜厚度测量：精度0.1nm，测量范围1nm-10μm。

3.表面粗糙度检测：原子力显微镜（AFM）分辨率0.1nmRMS。

4.晶体取向与缺陷分析：X射线衍射（XRD）角度分辨率0.001。

5.成分均匀性测试：二次离子质谱（SIMS）检出限≤110¹⁵atoms/cm³。

6.界面结合强度：纳米压痕法载荷范围0.1-500mN。

检测范围

1.III-V族半导体外延层（如GaAs、InP）。

2.二维材料异质结（如石墨烯/氮化硼）。

3.氧化物薄膜（如Al₂O₃、HfO₂）。

4.超导薄膜（如YBCO、MgB₂）。

5.金属有机外延（MOCVD）生长的LED结构层。

检测方法

1.ASTME112-13：晶粒度测定标准。

2.ISO14707:2015：辉光放电光谱成分分析。

3.GB/T16594-2008：微米级薄膜厚度测量方法。

4.ISO15472:2010：X射线光电子能谱表面分析。

5.GB/T19588-2017：纳米压痕硬度测试规范。

检测设备

1.HidenHAL501残余气体分析仪：四极杆质谱系统，灵敏度10^-14Torr。

2.BrukerDektakXT探针轮廓仪：垂直分辨率0.01nm。

3.ParkNX20原子力显微镜：非接触模式扫描精度0.15nm。

4.RigakuSmartLabX射线衍射仪：高分辨HRXRD模式最小步长0.0001。

5.ThermoScientificNexsaG2XPS：单色化AlKα光源，能量分辨率0.5eV。

6.Agilent8800三重四极杆ICP-MS：检出限低至ppt级。

7.ZEISSCrossbeam550聚焦离子束电镜：定位切割精度5nm。

8.KeysightNanoIndenterG200：动态接触模量测量范围1MPa-1TPa。

9.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：等离子体密度控制精度2%.

10.VeecoDimensionIcon扫描探针显微镜：峰值力轻敲模式力控分辨率10pN.

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与超高真空外延技术检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。