检测项目

1. 表面形貌分析：分辨率0.4-20 nm（二次电子模式），景深可达毫米级

2. 元素成分分析：能谱仪（EDS）元素检测范围B-U（原子序数5-92），检出限0.1-1 wt%

3. 晶体结构表征：电子背散射衍射（EBSD）角分辨率≥0.5°，扫描步长10 nm-10 μm

4. 断面层析成像：聚焦离子束（FIB）切割精度±5 nm，层厚控制1-100 nm

5. 动态原位观察：高温台最高温度1500℃±1℃，拉伸台载荷范围0-5 kN

检测范围

1. 半导体材料：硅晶圆缺陷分析（线宽≥3 nm）、Ⅲ-Ⅴ族化合物界面表征

2. 纳米颗粒：粒径分布统计（10-500 nm）、团聚形态定量分析

3. 生物样品：细胞表面超微结构观察（需镀金/碳处理）、组织矿化区域定位

4. 金属及合金：断口形貌分析（韧窝/解理特征识别）、晶界腐蚀行为研究

5. 高分子材料：共混相区分布（尺寸≥50 nm）、纤维取向度测定

检测方法

1. ASTM E986-04(2019)：SEM操作标准化规程（放大倍数校准±2%）

2. ISO 16700:2016：微束分析-扫描电镜校准规范（图像畸变≤1%）

3. GB/T 27788-2020：微束分析-扫描电镜图像放大倍率测量方法

4. GB/T 17359-2023：微束分析能谱法定量分析通则（无标样误差≤5%）

5. ISO 22493:2014：微束分析-扫描电镜-词汇术语体系

检测设备

1. ZEISS Sigma 500：场发射SEM，分辨率0.8 nm@15 kV，集成EDS/EBSD系统

2. Hitachi SU8000系列：冷场发射源，低电压模式1 kV下分辨率1.3 nm

3. FEI Nova NanoSEM 450：束流稳定性≤0.2%/h，支持FIB-SEM双束系统

4. JEOL JSM-7900F：探针电流10 pA-200 nA连续可调，配备CL阴极发光探测器

5. TESCAN MIRA4：全真空度范围（10^-3~10^-6 Pa），兼容WDS波谱仪

6. Thermo Scientific Apreo 2：低真空模式（10~400 Pa）生物样品直接观测

7. Nikon Eclipse LV150N：光学导航定位系统（定位精度±5 μm）

8. Bruker Quantax EDS：硅漂移探测器（能量分辨率≤123 eV@Mn Kα）

9. Oxford Instruments Symmetry EBSD：高速CMOS相机（3000 fps采集速率）

10. Gatan MonoCL4：单色阴极发光系统（波长范围200-1700 nm）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与静电子显微镜检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。