检测项目
1.电阻率测试：范围0.001-100Ωcm，精度1%
2.掺杂浓度分析：硼/磷浓度1e15-1e21atoms/cm
3.晶粒尺寸测量：50nm-10μm分辨率
4.扩散深度测定：误差≤5nm
5.氧含量检测：灵敏度≥0.1ppm
检测范围
1.太阳能电池用P型/N型多晶硅片
2.半导体器件中的栅极掺杂层
3.集成电路浅结扩散工艺材料
4.MEMS传感器敏感层多晶硅
5.功率器件钝化层掺杂薄膜
检测方法
1.ASTMF723：四探针法测定薄层电阻
2.ISO14707：SIMS深度剖面分析杂质分布
3.GB/T1551：半导体单晶晶向X射线衍射法
4.GB/T14144：红外光谱法测定氧含量
5.JISH0605：热波法评估扩散均匀性
检测设备
1.RTS-9四探针电阻率测试仪：量程0.0001-10000Ωcm
2.PHINanoTOFIISIMS：深度分辨率＜1nm
3.BrukerD8ADVANCEXRD：角度重复性0.0001
4.ThermoScientificNicoletiS50FTIR：光谱范围7800-350cm⁻
5.HitachiSU5000SEM：分辨率1nm@15kV
6.Agilent5500AFM：Z轴分辨率0.1nm
7.KLATencorP-7Profiler：台阶高度测量精度0.5
8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100CVD：原位掺杂监控系统
9.KeysightB1500A半导体分析仪：电流分辨率10fA
10.HoribaLabRAMHREvolutionRaman：激光波长532nm/785nm可选