掺杂多晶硅扩散检测

检测项目

1.电阻率测试：范围0.001-100Ωcm，精度1%

2.掺杂浓度分析：硼/磷浓度1e15-1e21atoms/cm

3.晶粒尺寸测量：50nm-10μm分辨率

4.扩散深度测定：误差≤5nm

5.氧含量检测：灵敏度≥0.1ppm

检测范围

1.太阳能电池用P型/N型多晶硅片

2.半导体器件中的栅极掺杂层

3.集成电路浅结扩散工艺材料

4.MEMS传感器敏感层多晶硅

5.功率器件钝化层掺杂薄膜

检测方法

1.ASTMF723：四探针法测定薄层电阻

2.ISO14707：SIMS深度剖面分析杂质分布

3.GB/T1551：半导体单晶晶向X射线衍射法

4.GB/T14144：红外光谱法测定氧含量

5.JISH0605：热波法评估扩散均匀性

检测设备

1.RTS-9四探针电阻率测试仪：量程0.0001-10000Ωcm

2.PHINanoTOFIISIMS：深度分辨率＜1nm

3.BrukerD8ADVANCEXRD：角度重复性0.0001

4.ThermoScientificNicoletiS50FTIR：光谱范围7800-350cm⁻

5.HitachiSU5000SEM：分辨率1nm@15kV

6.Agilent5500AFM：Z轴分辨率0.1nm

7.KLATencorP-7Profiler：台阶高度测量精度0.5

8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100CVD：原位掺杂监控系统

9.KeysightB1500A半导体分析仪：电流分辨率10fA

10.HoribaLabRAMHREvolutionRaman：激光波长532nm/785nm可选

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"掺杂多晶硅扩散检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。