检测项目
1.价带顶位置测定：精度0.05eV
2.能带宽度分析：测量范围0.1-10eV
3.电子态密度分布：分辨率≤0.1eV
4.费米能级定位：误差范围0.03eV
5.表面态密度表征：深度分辨率1-5nm
检测范围
1.半导体材料：硅基材料（Si/Ge）、III-V族化合物（GaAs/InP）
2.金属材料：过渡金属（Fe/Cu/Al）、稀土金属合金
3.绝缘体材料：氧化物陶瓷（Al₂O₃/SiO₂）、高分子聚合物
4.光伏材料：钙钛矿薄膜（MAPbI₃）、CIGS薄膜
5.催化剂材料：贵金属纳米颗粒（Pt/Pd）、金属氧化物催化剂（TiO₂/CeO₂）
检测方法
1.X射线光电子能谱法：ASTME1508-20、ISO18118:2022
2.紫外光电子能谱法：GB/T22588-2008
3.角分辨光电子能谱法：ISO19830:2017
4.同步辐射光电子能谱法：GB/T40128-2021
5.扫描隧道谱分析法：IEC62607-4-3:2019
检测设备
1.X射线光电子能谱仪（XPS）：ThermoScientificK-Alpha+，配备单色化AlKα源
2.紫外光电子能谱仪（UPS）：PHI5000VersaProbeIII，HeI/HeII双光源系统
3.角分辨光电子能谱系统（ARPES）：ScientaOmicronDA30L半球分析器
4.扫描隧道显微镜（STM）：BrukerMultiMode8-HR，能量分辨率0.1meV
5.同步辐射光束线终端站：上海光源BL08U1A线站
6.低温样品台系统：JanisST-500，温控范围4K-400K
7.超高真空系统：VGScientaR4000，极限真空510⁻mbar
8.能量分析器：SPECSPhoibos150CCD探测器
9.原位样品处理模块：OmicronEFM3电子束蒸发系统
10.数据采集系统：LabVIEW平台定制化采集软件