检测项目

纯度分析：检测单质主成分含量（≥99.9%），误差范围≤0.01%（GB/T 12690-2018）

氧/氮含量测定：惰性气体熔融法检测氧（≤10 ppm）、氮（≤5 ppm）等间隙元素

晶体结构表征：XRD分析晶格常数偏差（±0.002 Å）、相纯度（≥99.5%）

表面污染物检测：TOF-SIMS定量有机残留（＜0.1 ng/cm²）及无机颗粒污染

密度测定：阿基米德法测量密度偏差（±0.01 g/cm³），符合ASTM B923标准

检测范围

高纯金属单质：铝（Al 5N）、铜（Cu-OF）、钨（W 4N8）等

半导体单质材料：多晶硅（Si 11N）、锗（Ge 6N）、硒化锌（ZnSe）

稀有气体固化单质：氩晶体、氙单质等低温存储材料

碳同素异形体：金刚石（Ⅱa型）、石墨烯（单层＞98%）

放射性单质：铀（U-235丰度检测）、钍金属纯度分析

检测方法

GD-MS：辉光放电质谱法（ISO 22033:2021），检测金属单质中50+痕量杂质

ICP-OES：电感耦合等离子体发射光谱（ASTM E1479），元素定量限0.1 ppm

FTIR：傅里叶红外光谱（ASTM E1252），分析非金属单质官能团污染

四探针法：半导体单质电阻率测量（SEMI MF84），精度±0.5%

氦气检漏法：密封单质包装泄漏率检测（ISO 20486:2017），灵敏度10⁻¹⁰ mbar·L/s

检测设备

Thermo Fisher iCAP RQ ICP-MS：多元素同步分析，质量分辨率0.3 amu

Bruker D8 ADVANCE XRD：配备LYNXEYE XE-T探测器，角度重复性±0.0001°

LECO ONH836：脉冲加热惰性气体熔融仪，氧检测下限0.05 ppm

Agilent 7900 ICP-MS：三重四级杆技术，消除质谱干扰

Zeiss GeminiSEM 500：场发射电镜，元素面分布分析（空间分辨率1 nm）

技术优势

CNAS认可实验室（注册号详情请咨询工程师）：通过ISO/IEC 17025体系认证

CMA资质全覆盖：涵盖GB、ASTM、JIS等12项检测标准

量值溯源体系：使用NIST SRM标准物质进行设备校准

数据完整性：LIMS系统实现检测全流程电子化追踪

特殊样品处理能力：Class 10洁净室及放射性物质操作许可