检测项目

1. 晶格畸变率测定：测量界面区域晶格常数偏差值（±0.02Å）

2. 界面能分布分析：计算单位面积能量梯度（0.1-5 J/m²）

3. 位错密度检测：采用线扫描法测定位错线密度（10⁶-10⁸ cm/cm³）

4. 电子衍射花样解析：标定异常衍射斑点偏移量（≤0.5°）

5. 元素偏聚度评估：通过EDS测定界面元素浓度梯度（±0.5 at.%）

检测范围

1. III-V族半导体外延层（GaAs, InP等）

2. 镍基高温合金涡轮叶片

3. 氧化锆基固体电解质陶瓷

4. 钛铝金属间化合物板材

5. 硅基太阳能电池PN结界面

检测方法

1. ASTM E112-13 晶粒尺寸测定中的电子背散射衍射法

2. ISO 24173:2009 透射电镜电子衍射分析规范

3. GB/T 13305-2008 不锈钢中α-相面积含量测定

4. ASTM F1394-92(2016) 半导体晶界特性测试规程

5. GB/T 38821-2020 钛合金中ω相定量分析方法

检测设备

1. JEOL JSM-7900F场发射扫描电镜：配备EBSD系统（分辨率0.5nm）

2. Thermo Fisher Talos F200X透射电镜：STEM模式点分辨率0.16nm

3. Bruker D8 Advance X射线衍射仪：配备Eulerian cradle测角仪

4. Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器：采集速度3000点/秒

5. Shimadzu EPMA-8050G电子探针：波长分辨率5eV

6. Gatan OneView CMOS相机：4k×4k高速成像系统

7. Zeiss Crossbeam 550聚焦离子束：定位精度±50nm

8. Malvern Panalytical Empyrean XRD：高温附件最高1600℃

9. Hitachi HF5000场发射TEM：信息极限0.1nm

10. KLA Surfscan SP7激光扫描仪：表面粗糙度测量0.1Å RMS

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与反相界缺陷检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。