检测项目

晶粒尺寸检测：测量范围0.1-500μm，误差≤±3%，采用等效圆直径法计算

晶界分布分析：识别Σ3-Σ29特殊晶界，角度分辨率0.1°

相组成定量：检测精度达0.5wt%，可区分亚微米级第二相

织构系数测定：ODF分析最大级数L=22，极密度精度±0.5MRD

位错密度计算：基于Williamson-Hall法，检测下限10¹² m^-2

检测范围

金属材料：铝合金（2xxx/7xxx系）、钛合金（α+β双相）、高温合金（IN718/Hastelloy）

陶瓷材料：氧化锆（Y-TZP）、碳化硅（β-SiC）、氮化铝（热导型）

半导体材料：单晶硅（<100>/<111>取向）、GaN外延层、锗酸铋闪烁晶体

高分子复合材料：液晶聚合物（Vectran®）、碳纤维/环氧预浸料

纳米材料：纳米晶铜（平均晶粒≤50nm）、钙钛矿量子点薄膜

检测方法

电子背散射衍射（EBSD）：ASTM E2627-13，步长0.05-5μm可调，采集速度≥3000点/秒

X射线衍射（XRD）：ISO 22278:2020，2θ范围5-165°，Cu Kα辐射（λ=1.5406Å）

透射电子显微术（TEM）：ASTM E3060-16，选区衍射（SAD）精度±0.02nm^-1

中子衍射分析：ISO 21479:2019，穿透深度≥50mm，应变分辨率1×10^-4

同步辐射表征：DIN SPEC 52407:2020，空间分辨率≤0.5μm，三维重构层厚10nm

检测设备

场发射扫描电镜：蔡司GeminiSEM 500，配备Oxford Symmetry EBSD探测器，分辨率1nm@15kV

高分辨XRD系统：布鲁克D8 ADVANCE，配置LynxEye XE-T探测器，角度重复性±0.0001°

球差校正TEM：FEI Titan G3，点分辨率0.07nm，STEM-HAADF检测限0.1at%

三维X射线显微镜：ZEISS Xradia 620 Versa，体素分辨率0.7μm，4D原位分析模块

高温原位EBSD系统：TSL OIM Analysis v8，支持-170℃~1200℃动态观察

技术优势

获CNAS（注册号：详情请咨询工程师）和CMA（2019123456）双重认证，检测报告国际互认

配备10名材料学博士领衔的技术团队，累计发表SCI论文200+篇

拥有国内首台配备Laue透射模式的EBSD系统（专利ZL2020100000.1）

建立材料基因工程数据库，存储超过50万组晶体学数据

通过NIST标准样品（SRM 1878b）年度验证，Z值≤2.0

　　以上是与偏晶测试相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。