检测项目

1.电子结合能测定：能量分辨率≤0.3eV，范围0-1500eV
2.价带结构分析：费米能级5eV区间精细扫描
3.功函数测量：精度0.02eV，测试范围2-6eV
4.轨道杂化状态表征：sp/sp比例计算误差＜3%
5.表面电荷分布成像：空间分辨率达50nm

检测范围

1.半导体材料：硅基芯片、GaN功率器件等能带结构分析
2.金属合金：钛合金表面氧化层电子态研究
3.纳米材料：量子点/石墨烯界面电荷转移特性测试
4.催化剂：贵金属活性位点d带中心位置测定
5.高分子材料：导电聚合物π-π*跃迁特性表征

检测方法

1.X射线光电子能谱(XPS)：ASTME1523-2015/GB/T26533-2011
2.紫外光电子能谱(UPS)：ISO14706:2014表面功函数测定法
3.俄歇电子能谱(AES)：ISO18118:2015定量分析标准
4.电子能量损失谱(EELS)：GB/T35033-2018纳米材料表征规范
5.同步辐射光电子能谱：ASTME2108-2016深度剖析规程

检测设备

1.ThermoScientificK-Alpha+XPS系统：配备单色化AlKα源(1486.6eV)
2.PHI710俄歇纳米探针：空间分辨率8nm，元素探测限0.1at%
3.VGScientaR4000紫外光电子谱仪：HeI光源(21.22eV)
4.FEITitanG3透射电镜：配GatanQuantumEELS系统
5.BrukerD8ADVANCEXRD/XPS联用系统：θ-θ测角器精度0.0001
6.ShimadzuESCA-3400多功能表面分析仪：MgKα/AlKα双阳极配置
7.JEOLJAMP-9500F场发射俄歇探针：10nm束斑直径
8.SPECSPHOIBOS150半球型能量分析器：能量分辨率＜10meV