检测项目
1.纯度测定：NbO₂含量≥99.95%（质量分数），杂质总量≤0.05%
2.杂质元素分析：Fe≤50ppm、Al≤30ppm、Si≤20ppm（ICP-OES/MS法）
3.晶型结构表征：四方晶系（空间群I4/mmm），晶胞参数a=4.850.02
4.粒径分布测试：D50=1.5-5.0μm（激光散射法），跨度值≤1.8
5.比表面积测定：BET法测定范围0.5-50m/g3%
检测范围
1.高纯四氧化二铌粉末（电子级99.99%）
2.铌基陶瓷材料（介电常数≥200）
3.催化剂载体材料（孔径分布2-50nm）
4.半导体溅射靶材（密度≥5.8g/cm）
5.光学镀膜材料（折射率2.2-2.4@550nm）
检测方法
1.X射线衍射分析：ASTME975-20《材料晶体结构测定》
2.电感耦合等离子体光谱法：GB/T33042-2016《无机化工产品杂质测定》
3.激光粒度分析法：ISO13320-2020《粒度分布激光衍射法》
4.热重-差热联用：GB/T19469-2004《粉末煅烧失重测定》
5.比表面及孔隙度分析：ISO9277-2010《BET法比表面积测试》
检测设备
1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：配备9kW旋转阳极靶，角度精度0.0001
2.PerkinElmerNexION5000ICP-MS：检出限低至ppt级
3.MalvernMastersizer3000激光粒度仪：测量范围0.01-3500μm
4.MicromeriticsASAP2460比表面分析仪：可测孔径0.35-500nm
5.NetzschSTA449F5同步热分析仪：温度范围RT-1600℃0.1℃
6.ShimadzuEDX-8000能量色散谱仪：元素分析范围B-U
7.Agilent7900ICP-OES光谱仪：轴向观测等离子体技术
8.BrukerD8ADVANCEXRD：配备LYNXEYEXE探测器
9.HoribaLA-960纳米粒度分析仪：动态光散射模式
10.MettlerToledoTGA/DSC3+热重分析仪：分辨率0.1μg