晶格转动检测概述:检测项目1.晶格畸变角度测量:分辨率0.001,测量范围0.01~52.晶体转动轴偏差分析:精度0.05,支持[001]/[110]等多晶向标定3.取向差角计算:EBSD数据采集步长0.1~5μm,Kikuchi带识别率≥98%4.残余应力梯度测定:XRD应力深度分辨率10nm,应变灵敏度110⁻⁴5.滑移系激活判定:临界分切应力计算误差≤5MPa检测范围1.金属材料:钛合金高温蠕变试样、铝合金轧制板材、镍基单晶涡轮叶片2.半导体器件:GaN外延层/衬底界面、SiC功率模块焊接区3.结构陶瓷:氧化锆相变区
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.晶格畸变角度测量:分辨率0.001,测量范围0.01~5
2.晶体转动轴偏差分析:精度0.05,支持[001]/[110]等多晶向标定
3.取向差角计算:EBSD数据采集步长0.1~5μm,Kikuchi带识别率≥98%
4.残余应力梯度测定:XRD应力深度分辨率10nm,应变灵敏度110⁻⁴
5.滑移系激活判定:临界分切应力计算误差≤5MPa
1.金属材料:钛合金高温蠕变试样、铝合金轧制板材、镍基单晶涡轮叶片
2.半导体器件:GaN外延层/衬底界面、SiC功率模块焊接区
3.结构陶瓷:氧化锆相变区域、碳化硅纤维增强复合材料
4.增材制造件:316L不锈钢熔池边界区、Ti-6Al-4V层间热影响区
5.薄膜涂层:DLC涂层/基体界面过渡层、PVD氮化钛镀层
1.ASTME1426:X射线衍射法测定多晶材料晶格应变
2.ISO24173:电子背散射衍射(EBSD)晶体取向分析通则
3.GB/T13305:金属材料晶体结构测定方法
4.GB/T33812:透射电镜选区电子衍射(SAED)操作规范
5.ISO21466:三维X射线衍射(3DXRD)晶体转动重构技术
1.FEIVerios460L场发射扫描电镜:配备SymmetryS2EBSD探测器,空间分辨率1.2nm
2.BrukerD8DISCOVERX射线衍射仪:配置Hi-Star二维探测器,θ-θ测角仪精度0.0001
3.JEOLJEM-ARM300F球差校正透射电镜:STEM模式点分辨率70pm
4.ThermoScientificHeliosG4UX聚焦离子束系统:可实现50nm定位精度的TEM样品制备
5.OxfordInstrumentsAztecCrystalEBSD系统:支持高速Mapping(3000点/秒)
6.ProtoiXRD残余应力分析仪:Ψ角摆动范围45,Cr-Kα辐射源波长0.229nm
7.BrukerDimensionIcon原子力显微镜:PeakForceTapping模式力分辨率10pN
8.RigakuSmartLab高分辨XRD系统:配备交叉光路光学系统,RSM测量精度0.0001
9.ZeissLSM900激光共聚焦显微镜:3D表面形貌重建垂直分辨率10nm
10.MalvernPanalyticalEmpyrean多晶衍射仪:具备实时退卷积功能的HighScorePlus软件包
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与晶格转动检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。