检测项目

1.工作电压范围测试：验证1.2V-3.3V区间内存储单元稳定性

2.存取时间测量：评估读/写操作延迟（典型值5ns-50ns）

3.静态电流检测：待机模式下漏电流（≤1μA@25℃）

4.数据保持电压测试：断电后信息保存时长（≥10年@85℃）

5.温度循环试验：-55℃至125℃交变环境下的功能验证

检测范围

1.高速缓存用SRAM芯片（8Mb-32Mb容量）

2.低功耗嵌入式SRAM模块（40nm-28nm制程）

3.抗辐射加固型航天级SRAM器件

4.车规级AEC-Q100认证SRAM组件

5.物联网设备用超低电压SRAM单元

检测方法

ASTMF1249：半导体存储器高温工作寿命试验

JESD22-A108：温度循环加速老化测试规范

ISO16750-4：汽车电子环境可靠性验证

GB/T15844.3：半导体器件动态参数测试方法

IEC60749-25：湿热环境存储稳定性评估

检测设备

KeysightB1500A：半导体参数分析仪（支持nA级电流测量）

TektronixDPO73304SX：高速示波器（33GHz带宽）

ThermoStreamT-2600：三温区温度冲击试验箱（0.5℃精度）

AdvantestT5503HS：存储器自动测试系统（支持DDR4协议）

ESPECPL-3KPH：恒温恒湿试验箱（10%-98%RH控制）

Chroma33612P：可编程电源（100mV电压分辨率）

RadiantRT-1000C：抗辐射性能测试平台（60Coγ射线源）

NIPXIe-4139：精密源测量单元（7位数采精度）

XilinxVCU118：FPGA验证平台（支持DDR4接口协议）

HiroseFX100-LF：高速探针台（40GHz射频性能）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与静态随机存取存储器检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。