检测项目
1.晶格常数测定：精度0.0001nm（XRD法）
2.晶体取向分布：EBSD采集步长0.1-5μm
3.位错密度分析：分辨率≥10^6cm^-2（TEM法）
4.多相结构占比：相含量误差≤0.5wt%
5.晶粒尺寸统计：测量样本≥500个晶粒
检测范围
1.半导体单晶材料：硅(Si)、氮化镓(GaN)
2.高温合金部件：镍基超合金涡轮叶片
3.金属结构材料：钛合金TC4、铝合金6061
4.陶瓷基复合材料：氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)
5.功能晶体材料：铌酸锂(LiNbO₃)、锗酸铋(BGO)
检测方法
1.X射线衍射法：ASTME915残余应力测试/GB/T23413-2009
2.EBSD取向分析：ISO24173菊池花样标定规程
3.TEM缺陷表征：GB/T35031-2018位错密度测定
4.中子衍射法：ISO21484核级锆合金检测
5.同步辐射CT：GB/T37155-2018三维晶体重构
检测设备
1.X射线衍射仪：BrukerD8ADVANCE（二维面探）
2.场发射扫描电镜：蔡司Sigma500（EBSD附件）
3.透射电子显微镜：FEITalosF200X（STEM模式）
4.X射线三维显微镜：ZEISSXradia620Versa
5.电子探针分析仪：JEOLJXA-8530FPlus
6.激光共聚焦显微镜：奥林巴斯LEXTOLS5000
7.高温原位平台：安东帕DHS1100加热台
8.中子衍射仪：中国散裂中子源BL20
9.EBSD探测器：牛津仪器SymmetryS2
10.XRD应力分析仪：ProtoLXRD残余应力仪