检测项目

1.受主杂质浓度范围：1E14~1E20atoms/cm定量分析
2.掺杂层深度分布：分辨率≤5nm
3.激活能测定：精度0.01eV
4.载流子浓度比：p/n型比例误差＜5%
5.电学性能影响：迁移率偏差≤10%

检测范围

1.半导体单晶硅（掺杂硼/铝/镓）
2.III-V族化合物半导体（GaAs,InP等）
3.光伏材料（CIGS薄膜电池）
4.金属合金掺杂体系（铝合金镁元素）
5.功能陶瓷材料（BaTiO3基PTCR元件）

检测方法

1.ASTMF76-08(2020)霍尔效应测试标准
2.ISO17560:2014SIMS深度剖析方法
3.GB/T1550-2018半导体材料导电类型判定
4.GB/T14144-2021硅单晶中杂质补偿度测定
5.ASTME1508-12(2019)二次离子质谱定量规程
6.DLTS深能级瞬态谱技术（IEC60749-32:2022）
7.GB/T16597-2019X射线荧光光谱通则

检测设备

1.KEITHLEY2450四探针电阻率测试仪：10μΩm~100MΩm量程
2.LakeShore8404霍尔效应测量系统：0.05T~2T磁场强度
3.CamecaIMS7f二次离子质谱仪：质量分辨率＞10,000
4.ThermoScientificARLQUANT'XEDXRF光谱仪：Be窗探测器
5.Bio-RadDL8000深能级瞬态谱仪：温度范围15K~500K
6.Agilent5500原子力显微镜：导电AFM模式
7.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：Cu靶Kα辐射源
8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100ICP-MS：检出限＜ppt级