检测项目
1.反向击穿电压（VBR）：测试范围0-5000V@25℃/125℃，精度0.5%
2.正向导通电流（IF）：最大测试电流200A@1ms脉冲宽度
3.漏电流（IR）：分辨率1nA@VR=80%VBR
4.热阻系数（RθJC）：测量范围0.1-10℃/W
5.动态响应时间：反向恢复时间trr≤50ns@IF=10A
检测范围
1.硅基肖特基势垒整流器（SBD）
2.碳化硅（SiC）JBS整流器件
3.砷化镓（GaAs）高频整流模块
4.高压直流输电用晶闸管整流组件
5.汽车电子IGBT配套快恢复二极管
检测方法
ASTMF360-18半导体整流器反向特性测试规程
IEC60747-5:2019分立器件热特性测量方法
GB/T4023-2015电力半导体器件测试通则
JESD22-A108F温度循环加速寿命试验标准
GB/T17573-2021半导体器件机械和气候试验方法
检测设备
KeysightB1505A功率器件分析仪：支持200A/10kV脉冲测试
TektronixDMM6500数字万用表：6.5位分辨率漏电流测量
Chroma19032耐压测试仪：AC/DC0-5kV绝缘强度测试
ESPECT-12恒温恒湿箱：温度范围-70℃~+180℃
FLIRA655sc红外热像仪：空间分辨率640480@30Hz
Agilent4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz频段特性分析
HIOKIRM3545微电阻计：0.1μΩ分辨率接触电阻测试
ThermoScientificCL-1000氙灯老化箱：符合IEC61215光衰测试要求