检测项目

1.反向击穿电压（VBR）：测试范围0-5000V@25℃/125℃，精度0.5%

2.正向导通电流（IF）：最大测试电流200A@1ms脉冲宽度

3.漏电流（IR）：分辨率1nA@VR=80%VBR

4.热阻系数（RθJC）：测量范围0.1-10℃/W

5.动态响应时间：反向恢复时间trr≤50ns@IF=10A

检测范围

1.硅基肖特基势垒整流器（SBD）

2.碳化硅（SiC）JBS整流器件

3.砷化镓（GaAs）高频整流模块

4.高压直流输电用晶闸管整流组件

5.汽车电子IGBT配套快恢复二极管

检测方法

ASTMF360-18半导体整流器反向特性测试规程

IEC60747-5:2019分立器件热特性测量方法

GB/T4023-2015电力半导体器件测试通则

JESD22-A108F温度循环加速寿命试验标准

GB/T17573-2021半导体器件机械和气候试验方法

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：支持200A/10kV脉冲测试

TektronixDMM6500数字万用表：6.5位分辨率漏电流测量

Chroma19032耐压测试仪：AC/DC0-5kV绝缘强度测试

ESPECT-12恒温恒湿箱：温度范围-70℃~+180℃

FLIRA655sc红外热像仪：空间分辨率640480@30Hz

Agilent4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz频段特性分析

HIOKIRM3545微电阻计：0.1μΩ分辨率接触电阻测试

ThermoScientificCL-1000氙灯老化箱：符合IEC61215光衰测试要求