检测项目

1.能量分辨率：测量探测器对单能射线的分辨能力，典型参数为FWHM（半高宽），单位keV。
2.线性响应范围：评估输出信号与入射粒子能量的线性关系，测试范围通常覆盖10keV至10MeV。
3.暗电流特性：在无辐照条件下测量漏电流值，要求低于1nA/cm（25℃）。
4.温度稳定性：验证-40℃至+85℃范围内能量漂移量，允许偏差≤0.05%/℃。
5.噪声水平：采用RMS值表征电子学噪声，高端探测器需达到≤100eV等效噪声能量。

检测范围

1.硅基半导体探测器：包括PIN型、APD型及硅漂移室（SDD）。
2.锗基高纯锗探测器（HPGe）：用于γ射线能谱分析。
3.化合物半导体探测器：如CdTe、CZT等室温工作型探测器。
4.X射线成像用平板探测器：含非晶硅/硒薄膜型器件。
5.辐射监测设备：便携式α/β/γ剂量率仪及中子探测器。

检测方法

1.ASTME2677-2016：规范半导体探测器能量分辨率测试流程
2.ISO4037-3:2019：指导X/γ射线参考辐射场校准方法
3.GB/T13384-2008：规定核仪器环境试验技术要求
4.IEC60747-14-3:2019：半导体器件-辐射探测器测试标准
5.GB/T30151-2013：高纯锗γ能谱仪性能测试方法

检测设备

1.ORTECDSPEC50数字能谱仪：支持16k道脉冲高度分析
2.KeysightB1500A半导体参数分析仪：可测pA级暗电流
3.AmptekXR-100SDD硅漂移探测器系统：能量分辨率≤125eV@5.9keV
4.JanisSHI-4低温恒温系统：控温精度0.1K（77K~500K）
5.CAENDT5730数字化采集系统：14位ADC,500MS/s采样率
6.HamamatsuC12137辐射光源装置：提供55Fe、241Am标准源激发
7.Keithley2636B源表：双通道精密I-V特性测试
8.ThermoFisheriCAPRQICP-MS：用于材料纯度分析（杂质＜1ppb）
9.BrukerD8ADVANCEXRD系统：晶体结构完整性检测
10.FLIRSC7000红外热像仪：空间分辨率15μm@3μm波段