检测项目

1.外延层厚度测量：精度0.5nm（X射线反射法），测量范围10nm-500μm
2.结晶质量分析：半高宽（FWHM）≤200arcsec（X射线衍射法），位错密度＜110⁴/cm
3.表面粗糙度检测：RMS值≤0.3nm（原子力显微镜），扫描面积1010μm
4.掺杂浓度分布：分辨率5%（二次离子质谱），检测限110⁴atoms/cm
5.界面缺陷密度：暗场成像分辨率0.5nm（透射电子显微镜），缺陷识别率≥99%

检测范围

1.III-V族半导体外延片（GaAs、InP等）
2.碳化硅（SiC）同质/异质外延层
3.氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管结构
4.硅基锗（Ge-on-Si）应变超晶格
5.二维材料外延堆叠（石墨烯/六方氮化硼）

检测方法

1.ASTMF1391-22：X射线反射法测定外延层厚度
2.ISO14707:2021：辉光放电质谱成分深度剖析
3.GB/T35031-2018：拉曼光谱应力分布测试规程
4.JISH7804:2019：扫描电子显微镜缺陷统计方法
5.GB/T38945-2020：光致发光谱载流子寿命测量标准

检测设备

1.BrukerD8DiscoverX射线衍射仪：配备LynxEye阵列探测器，实现0.0001角度分辨率
2.ThermoFisherNexsaG2XPS系统：单色化AlKα光源，空间分辨率≤7.5μm
3.ParkNX20原子力显微镜：非接触模式Z轴分辨率0.02nm，最大扫描范围100100μm
4.FEITalosF200X透射电镜：STEM模式点分辨率0.16nm，配备SuperX能谱仪
5.HoribaLabRAMHREvolution：共聚焦拉曼光谱仪，光谱分辨率0.35cm⁻@532nm
6.KLASurfscanSP7：激光散射表面缺陷检测系统，可识别≥80nm颗粒缺陷
7.Agilent5500SPM：压电力显微镜与导电AFM联用系统
8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：ICP-MS深度剖面分析系统
9.VeecoNT9100光学轮廓仪：垂直分辨率0.01nm，横向采样间距0.11μm
10.HamamatsuC12132光电测试平台：时间分辨PL测试时间分辨率＜20ps

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与外延数据库检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。