导带底检测概述:检测项目1.载流子浓度测试:测量范围110~110⁹cm⁻,精度3%2.霍尔迁移率测定:温度范围77-400K,磁场强度0.5T3.费米能级定位:分辨率0.01eV4.缺陷态密度分析:探测下限110⁰cm⁻eV⁻5.光致发光谱测量:波长范围300-1700nm6.热电势系数测试:温度梯度ΔT=10K检测范围1.III-V族半导体材料(GaAs,InP等)2.硅基光伏电池组件3.钙钛矿太阳能薄膜4.二维过渡金属硫化物(MoS₂,WS₂)5.有机半导体材料(P3HT,PCBM)6.量子点发光器件检测方法1.A
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1.载流子浓度测试:测量范围110~110⁹cm⁻,精度3%
2.霍尔迁移率测定:温度范围77-400K,磁场强度0.5T
3.费米能级定位:分辨率0.01eV
4.缺陷态密度分析:探测下限110⁰cm⁻eV⁻
5.光致发光谱测量:波长范围300-1700nm
6.热电势系数测试:温度梯度ΔT=10K
1.III-V族半导体材料(GaAs,InP等)
2.硅基光伏电池组件
3.钙钛矿太阳能薄膜
4.二维过渡金属硫化物(MoS₂,WS₂)
5.有机半导体材料(P3HT,PCBM)
6.量子点发光器件
1.ASTMF76:半导体材料霍尔效应标准测试方法
2.ISO16331:光伏器件载流子寿命测量规范
3.GB/T30869-2014:半导体材料导电类型测试规程
4.IEC62446-1:光伏系统特性参数测量标准
5.JISH0605:硅单晶电阻率测定方法
6.GB/T1551-2009:硅单晶导电类型测定方法
1.Keithley4200A-SCS参数分析仪:实现IV/CV特性曲线测量
2.LakeShoreCRX-VF低温探针台:支持77-500K变温测试
3.AgilentB1500A半导体分析仪:精度达0.1fA/0.5μV
4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜:表面电势成像分辨率1mV
5.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼系统:空间分辨率0.5μm
6.Instron5967万能材料试验机:载荷精度0.5%
7.PerkinElmerLambda1050+紫外分光光度计:波长精度0.08nm
8.OxfordInstrumentsOptistatCF低温恒温器:温度稳定性0.01K
9.KeysightB2902A精密源表:最小电流分辨率10fA
10.ThermoScientificESCALABXi+光电子能谱仪:能量分辨率<0.45eV
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与导带底检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。