检测项目
1.载流子浓度测试：测量范围110~110⁹cm⁻，精度3%
2.霍尔迁移率测定：温度范围77-400K，磁场强度0.5T
3.费米能级定位：分辨率0.01eV
4.缺陷态密度分析：探测下限110⁰cm⁻eV⁻
5.光致发光谱测量：波长范围300-1700nm
6.热电势系数测试：温度梯度ΔT=10K
检测范围
1.III-V族半导体材料（GaAs,InP等）
2.硅基光伏电池组件
3.钙钛矿太阳能薄膜
4.二维过渡金属硫化物（MoS₂,WS₂）
5.有机半导体材料（P3HT,PCBM）
6.量子点发光器件
检测方法
1.ASTMF76:半导体材料霍尔效应标准测试方法
2.ISO16331:光伏器件载流子寿命测量规范
3.GB/T30869-2014:半导体材料导电类型测试规程
4.IEC62446-1:光伏系统特性参数测量标准
5.JISH0605:硅单晶电阻率测定方法
6.GB/T1551-2009:硅单晶导电类型测定方法
检测设备
1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：实现IV/CV特性曲线测量
2.LakeShoreCRX-VF低温探针台：支持77-500K变温测试
3.AgilentB1500A半导体分析仪：精度达0.1fA/0.5μV
4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：表面电势成像分辨率1mV
5.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼系统：空间分辨率0.5μm
6.Instron5967万能材料试验机：载荷精度0.5%
7.PerkinElmerLambda1050+紫外分光光度计：波长精度0.08nm
8.OxfordInstrumentsOptistatCF低温恒温器：温度稳定性0.01K
9.KeysightB2902A精密源表：最小电流分辨率10fA
10.ThermoScientificESCALABXi+光电子能谱仪：能量分辨率<0.45eV