检测项目
1.电导率：测量范围10~10⁵S/m（西门子/米），精度0.5%
2.热导率：测试温度-50℃~300℃，分辨率0.1W/(mK)
3.磁化率：量程10⁻⁶~10⁻emu/g（电磁单位/克），磁场强度0~2T
4.密度测定：采用阿基米德法，精度0.01g/cm
5.维氏硬度：载荷范围0.5~30kgf（千克力），压痕测量误差≤1%
6.禁带宽度：光谱分析范围200~2500nm（纳米），分辨率0.02eV
检测范围
1.元素半金属材料：锑（Sb）、铋（Bi）、砷（As）、碲（Te）单质
2.合金体系：锑化铟（InSb）、铋锑合金（Bi-Sb）等二元/三元合金
3.半导体材料：碲化镉（CdTe）、碲化铅（PbTe）晶体
4.热电材料：Bi₂Te₃基热电转换器件
5.电子元件：半金属磁阻传感器、霍尔效应器件
6.涂层材料：含锑/铋的防腐镀层
检测方法
1.ASTME1004-17：电导率四探针法测量标准
2.ISO22007-4:2017：瞬态平面热源法测定热导率
3.GB/T3656-2008：振动样品磁强计法磁化率测试
4.GB/T1423-1996：贵金属及其合金密度测定方法
5.ISO6507-1:2018：维氏硬度试验方法
6.JISH0605-1996：半导体材料禁带宽度紫外可见分光光度法
检测设备
1.Keithley2450源表：四探针法电导率测试系统
2.HotDiskTPS2500S：宽温区热导率分析仪
3.LakeShore8604型振动样品磁强计：磁化率精密测量装置
4.MitutoyoHM-200硬度计：全自动维氏硬度测试平台
5.ShimadzuUV-3600Plus：紫外可见近红外分光光度计
6.MettlerToledoXS205电子天平：密度测定专用分析天平
7.RigakuSmartLabXRD：晶体结构X射线衍射分析系统
8.ZEISSSigma500场发射电镜：微观形貌与成分分析系统
9.NetzschSTA449F5：同步热分析仪（TG-DSC联用）
10.Agilent5500AFM：原子力显微镜表面特性分析仪