半金属检测概述:检测项目1.电导率:测量范围10~10⁵S/m(西门子/米),精度0.5%2.热导率:测试温度-50℃~300℃,分辨率0.1W/(mK)3.磁化率:量程10⁻⁶~10⁻emu/g(电磁单位/克),磁场强度0~2T4.密度测定:采用阿基米德法,精度0.01g/cm5.维氏硬度:载荷范围0.5~30kgf(千克力),压痕测量误差≤1%6.禁带宽度:光谱分析范围200~2500nm(纳米),分辨率0.02eV检测范围1.元素半金属材料:锑(Sb)、铋(Bi)、砷(As)、碲(Te)单质2.合金体系:锑化铟(I
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1.电导率:测量范围10~10⁵S/m(西门子/米),精度0.5%
2.热导率:测试温度-50℃~300℃,分辨率0.1W/(mK)
3.磁化率:量程10⁻⁶~10⁻emu/g(电磁单位/克),磁场强度0~2T
4.密度测定:采用阿基米德法,精度0.01g/cm
5.维氏硬度:载荷范围0.5~30kgf(千克力),压痕测量误差≤1%
6.禁带宽度:光谱分析范围200~2500nm(纳米),分辨率0.02eV
1.元素半金属材料:锑(Sb)、铋(Bi)、砷(As)、碲(Te)单质
2.合金体系:锑化铟(InSb)、铋锑合金(Bi-Sb)等二元/三元合金
3.半导体材料:碲化镉(CdTe)、碲化铅(PbTe)晶体
4.热电材料:Bi₂Te₃基热电转换器件
5.电子元件:半金属磁阻传感器、霍尔效应器件
6.涂层材料:含锑/铋的防腐镀层
1.ASTME1004-17:电导率四探针法测量标准
2.ISO22007-4:2017:瞬态平面热源法测定热导率
3.GB/T3656-2008:振动样品磁强计法磁化率测试
4.GB/T1423-1996:贵金属及其合金密度测定方法
5.ISO6507-1:2018:维氏硬度试验方法
6.JISH0605-1996:半导体材料禁带宽度紫外可见分光光度法
1.Keithley2450源表:四探针法电导率测试系统
2.HotDiskTPS2500S:宽温区热导率分析仪
3.LakeShore8604型振动样品磁强计:磁化率精密测量装置
4.MitutoyoHM-200硬度计:全自动维氏硬度测试平台
5.ShimadzuUV-3600Plus:紫外可见近红外分光光度计
6.MettlerToledoXS205电子天平:密度测定专用分析天平
7.RigakuSmartLabXRD:晶体结构X射线衍射分析系统
8.ZEISSSigma500场发射电镜:微观形貌与成分分析系统
9.NetzschSTA449F5:同步热分析仪(TG-DSC联用)
10.Agilent5500AFM:原子力显微镜表面特性分析仪
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与半金属检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。