检测项目
位错密度测定（范围：0.5×106-1.5×108 cm-2，误差≤±5%）
位错分布均匀性分析（区域覆盖率≥90%，扫描步长≤50 nm）
位错线取向偏差测量（角度分辨率≤0.5°）
位错应力场强度表征（应力分辨率≤10 MPa）
位错交互作用定量分析（临界剪切应力范围：50-300 MPa）
检测范围
金属材料：铝合金（AA6061/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温合金（Inconel 718）
半导体材料：单晶硅（晶向<111>/<100>）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（4H-SiC）
陶瓷材料：氧化铝（Al2O3）、氮化硅（Si3N4）
复合材料：碳纤维增强环氧树脂（CFRP）、金属基复合材料（MMCs）
薄膜涂层：物理气相沉积（PVD）硬质涂层（TiN/AlCrN）
检测方法
X射线衍射法（XRD）：ASTM E2860、GB/T 23414
透射电子显微术（TEM）：ISO 25498、GB/T 13298
电子背散射衍射（EBSD）：ASTM E2627、ISO 24173
扫描探针显微术（SPM）：ISO 11039、GB/T 35099
同步辐射显微成像：ISO 17873、GB/T 40152
检测设备
透射电子显微镜：JEOL JEM-2100（加速电压200 kV，点分辨率0.19 nm）
场发射扫描电镜：蔡司GeminiSEM 500（EBSD分辨率≤0.1 μm）
X射线衍射仪：布鲁克D8 Discover（Cu Kα辐射，2θ精度±0.0001°）
原子力显微镜：Bruker Dimension Icon（扫描范围90 μm，Z轴噪声≤0.05 nm）
聚焦离子束系统：Thermo Fisher Helios G4 UX（束流稳定性≤0.1% RMS）