检测项目

1.硅化物成分分析：测定Si含量（0.01%-99.9%）、杂质元素（Fe,Al,Ca等）检出限≤10ppm

2.晶体结构表征：XRD半峰宽≤0.02，晶格常数测量精度0.0001nm

3.热稳定性测试：TG-DSC联用分析（室温-1500℃），升温速率0.1-50℃/min

4.表面形貌观测：SEM分辨率≤1nm，EDS元素面分布分析精度0.5wt%

5.电学性能检测：电阻率测量范围10^-6~10^12Ωcm，霍尔效应测试磁场强度0-2T

检测范围

1.半导体硅化物：TiSi2、CoSi2等集成电路接触层材料

2.高温合金：MoSi2基抗氧化涂层材料

3.陶瓷复合材料：SiC/Si3N4基烧结体

4.光伏材料：多晶硅锭及硅基薄膜

5.化工催化剂：负载型硅铝分子筛

检测方法

ASTME1508-12电子探针微量分析标准方法

ISO14703:2022精细陶瓷界面元素分布表征

GB/T223.74-2020钢铁及合金化学分析方法（硅测定）

ISO19668:2017X射线衍射残余应力测定

GB/T13301-2019金属材料电阻率测量规范

检测设备

ThermoScientificARLEQUINOX1000X射线衍射仪（晶体结构分析）

PerkinElmerOptima8300电感耦合等离子体发射光谱仪（元素定量）

NETZSCHSTA449F5同步热分析仪（热稳定性测试）

HitachiSU8220冷场发射扫描电镜（表面形貌表征）

Agilent5500原子力显微镜（纳米尺度电学性能测试）

BrukerD8ADVANCEX射线荧光光谱仪（快速成分筛查）

LakeShore8404霍尔效应测试系统（载流子浓度测量）

MalvernPanalyticalEmpyrean多功能X射线平台（相变分析）

LECOONH836氧氮氢分析仪（杂质气体测定）

Keithley4200A-SCS半导体参数分析仪（界面接触特性测试）