肖特基检测

检测项目

1.正向压降（VF）：测量0.1A-100A电流范围下的导通电压值（0.2V-1.5V），测试温度25℃-150℃

2.反向击穿电压（VR）：评估10V-200V反向偏置电压下的漏电流（≤1μA-10mA）

3.结电容（Cj）：测试0-30V偏置电压下的寄生电容（1pF-1000pF），频率范围1MHz-1GHz

4.热阻特性（RθJA）：测量器件结温与环境温差（ΔT=50℃-150℃）下的热传导性能

5.反向恢复时间（trr）：验证10ns-100ns时间范围内的电荷存储效应

检测范围

1.硅基肖特基二极管（SBD）：包括TO-220、TO-247、SMD封装器件

2.碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）：耐压600V-1700V功率器件

3.砷化镓肖特基势垒微波器件：工作频率1GHz-40GHz射频元件

4.肖特基晶圆材料：4英寸/6英寸硅外延片及SiC衬底片

5.金属半导体接触材料：镍/钛/铂/钨等金属与半导体的界面特性

检测方法

1.ASTMF397-08(2020)：半导体器件静态参数测试标准方法

2.IEC60747-5：分立半导体器件测试规范第5部分：光电器件

3.GB/T6571-2018：半导体器件分立器件和集成电路第5-1部分：光电子器件总则

4.JESD22-A108F：电子器件高温工作寿命测试标准

5.MIL-STD-750F：军用标准半导体器件试验方法

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A高压大电流测试

2.TektronixDMM6500数字万用表：6位分辨率直流参数测量

3.Agilent4294A精密阻抗分析仪：40Hz-110MHz频率范围阻抗测试

4.ThermoScientificT3Ster结构函数分析仪：瞬态热阻特性测量系统

5.ESPECSH-642恒温恒湿箱：温度范围-70℃~+180℃，湿度10%~98%RH

6.LeCroyHDO6034示波器：350MHz带宽反向恢复时间测试

7.CascadeSummit12000探针台：12英寸晶圆级参数测试平台

8.FlukeTi450红外热像仪：非接触式结温分布测量系统

9.Chroma19032电源负载系统：多通道动态特性测试装置

10.BrukerDektakXTL台阶仪：薄膜厚度与表面形貌分析

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"肖特基检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。