检测项目
1.正向压降（VF）：测量0.1A-100A电流范围下的导通电压值（0.2V-1.5V），测试温度25℃-150℃
2.反向击穿电压（VR）：评估10V-200V反向偏置电压下的漏电流（≤1μA-10mA）
3.结电容（Cj）：测试0-30V偏置电压下的寄生电容（1pF-1000pF），频率范围1MHz-1GHz
4.热阻特性（RθJA）：测量器件结温与环境温差（ΔT=50℃-150℃）下的热传导性能
5.反向恢复时间（trr）：验证10ns-100ns时间范围内的电荷存储效应
检测范围
1.硅基肖特基二极管（SBD）：包括TO-220、TO-247、SMD封装器件
2.碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）：耐压600V-1700V功率器件
3.砷化镓肖特基势垒微波器件：工作频率1GHz-40GHz射频元件
4.肖特基晶圆材料：4英寸/6英寸硅外延片及SiC衬底片
5.金属半导体接触材料：镍/钛/铂/钨等金属与半导体的界面特性
检测方法
1.ASTMF397-08(2020)：半导体器件静态参数测试标准方法
2.IEC60747-5：分立半导体器件测试规范第5部分：光电器件
3.GB/T6571-2018：半导体器件分立器件和集成电路第5-1部分：光电子器件总则
4.JESD22-A108F：电子器件高温工作寿命测试标准
5.MIL-STD-750F：军用标准半导体器件试验方法
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A高压大电流测试
2.TektronixDMM6500数字万用表：6位分辨率直流参数测量
3.Agilent4294A精密阻抗分析仪：40Hz-110MHz频率范围阻抗测试
4.ThermoScientificT3Ster结构函数分析仪：瞬态热阻特性测量系统
5.ESPECSH-642恒温恒湿箱：温度范围-70℃~+180℃，湿度10%~98%RH
6.LeCroyHDO6034示波器：350MHz带宽反向恢复时间测试
7.CascadeSummit12000探针台：12英寸晶圆级参数测试平台
8.FlukeTi450红外热像仪：非接触式结温分布测量系统
9.Chroma19032电源负载系统：多通道动态特性测试装置
10.BrukerDektakXTL台阶仪：薄膜厚度与表面形貌分析