转移电子检测概述:检测项目1.电导率测量:范围10^-6S/m至10^8S/m,精度0.5%2.载流子浓度测定:覆盖10^12cm^-3至10^20cm^-3量级3.迁移率分析:霍尔效应法测量0.1-10^5cm/(Vs)4.能带结构表征:扫描范围5eV,分辨率≤0.01eV5.界面态密度检测:频率1kHz-1MHz下C-V特性测试检测范围1.半导体材料:硅基器件、III-V族化合物半导体2.二维材料:石墨烯、过渡金属硫化物薄膜3.导电聚合物:PEDOT:PSS、聚苯胺复合材料4.新能源器件:钙钛矿太阳能电池电极层5.纳米
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.电导率测量:范围10^-6S/m至10^8S/m,精度0.5%
2.载流子浓度测定:覆盖10^12cm^-3至10^20cm^-3量级
3.迁移率分析:霍尔效应法测量0.1-10^5cm/(Vs)
4.能带结构表征:扫描范围5eV,分辨率≤0.01eV
5.界面态密度检测:频率1kHz-1MHz下C-V特性测试
1.半导体材料:硅基器件、III-V族化合物半导体
2.二维材料:石墨烯、过渡金属硫化物薄膜
3.导电聚合物:PEDOT:PSS、聚苯胺复合材料
4.新能源器件:钙钛矿太阳能电池电极层
5.纳米复合材料:碳纳米管/金属氧化物异质结
1.ASTMF76-08(2020):半导体材料霍尔效应测试标准
2.ISO14707:2021表面分析-辉光放电光谱法测定载流子浓度
3.GB/T1551-2021硅单晶电阻率测定方法
4.IEC62805-2:2017光伏器件载流子寿命测试规程
5.JISH0605-2019薄膜材料四探针法电阻测量规范
1.Keithley4200-SCS半导体参数分析仪:支持DC-IV/CV/脉冲测试模式
2.LakeShore8404系列霍尔效应测量系统:磁场强度2T,温度范围4K-400K
3.AgilentB1500A精密阻抗分析仪:频率范围1MHz至3GHz
4.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪:空间分辨率≤0.5μm
5.KeysightE4990A阻抗分析仪:基本精度0.045%
6.OxfordInstrumentsMicrostatHiResII低温恒温器:工作温度1.5K-500K
7.BrukerDimensionIcon原子力显微镜:导电AFM模式分辨率1nm
8.ThermoScientificESCALABXi+X射线光电子能谱仪:能量分辨率<0.45eV
9.MitsubishiChemicalLoresta-GXMCP-T700四探针电阻测试仪:量程10^-3~10^6Ω/sq
10.SemilabWT-2000少子寿命测试仪:瞬态光电导衰减法测量精度5%
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与转移电子检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。