检测项目
1.载流子迁移率：测量范围110⁻~110⁵cm/(Vs)，精度3%
2.能带间隙值：测试波长覆盖200~2500nm，分辨率≤0.01eV
3.热导率：温度范围-196℃~1200℃，测量误差＜5%
4.载流子浓度：灵敏度110⁰~110⁰cm⁻
5.复合寿命：时间分辨率0.1ns~10ms
检测范围
1.半导体材料：单晶硅、锗、砷化镓等III-V族化合物
2.二维材料：石墨烯、二硫化钼、六方氮化硼
3.光伏材料：钙钛矿薄膜、CIGS薄膜组件
4.热电材料：碲化铋(Bi₂Te₃)、硒化锡(SnSe)
5.光电子器件：LED外延片、激光二极管芯片
检测方法
1.ASTMF76-08(2020)：霍尔效应测试规范
2.ISO22309:2011：能谱法测定元素组成
3.GB/T1551-2009：硅单晶电阻率测定四探针法
4.IEC60904-8:2014：光伏器件量子效率测量
5.GB/T35031-2018：热电材料塞贝克系数测试规范
检测设备
1.Keithley4200-SCS半导体参数分析仪：支持DC-IV/CV特性测试
2.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：晶体结构分析精度0.0001
3.NetzschLFA467HyperFlash激光闪射仪：热扩散系数测量范围0.1~1000mm/s
4.AgilentB1500A精密阻抗分析仪：频率范围1MHz~3GHz
5.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪：空间分辨率＜1μm
6.OxfordInstrumentsOptistatDN₂闭循环恒温器：控温范围4K~475K
7.KeysightB2902A精密源表：电流分辨率10fA
8.ThermoScientificESCALABXi+XPS系统：元素分析深度＜10nm