检测项目

1.电流增益（hFE）测试：测量晶体管集电极电流与基极电流比值范围20-1000

2.噪声系数（NF）分析：频率范围1MHz-40GHz内噪声系数≤3dB

3.反向击穿电压（VBR）验证：测试电压0-3000V可调精度0.5%

4.热阻（RθJC）测量：结温监测范围-55℃-200℃误差1℃

5.开关时间测试：上升时间≤5ns/下降时间≤8ns@25℃

检测范围

1.III-V族化合物半导体器件（GaAs/GaNHEMT）

2.微波单片集成电路（MMIC）

3.低噪声放大器（LNA）模块

4.功率晶体管（BJT/MOSFET/IGBT）

5.压控振荡器（VCO）组件

检测方法

1.IEC60747-1:2022半导体分立器件通用规范

2.GB/T4587-2017半导体分立器件测试方法

3.ASTMF1241-22射频功率晶体管热特性测试标准

4.MIL-STD-750G军用电子元件试验方法

5.JESD22-A108E温度循环加速寿命试验规范

检测设备

1.KeysightN5245APNA-X网络分析仪：支持40GHz矢量网络分析

2.TektronixDPO73304SX示波器：33GHz带宽/200GS/s采样率

3.Chroma19032功率器件测试系统：3000V/100A动态参数测试

4.AgilentN8975A噪声系数分析仪：10MHz-26.5GHz频段测量

5.ThermonicsT-2600C热流仪：-70℃-+225℃快速温变测试

6.KeysightB1505A功率器件分析仪：3kV/1500A脉冲测试能力

7.R&SFSW67信号与频谱分析仪：67GHz实时频谱监测

8.ESPECPL-3KPH气候试验箱：温度/湿度复合环境模拟

9.CascadeSummit12000探针台：12英寸晶圆级参数测试

10.Fluke8588A参考级万用表：8.5位分辨率/0.001%基本精度

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与有源器件检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。