检测项目

1.电阻率：采用四探针法测量（0.001-1000Ωcm范围），评估载流子浓度分布
2.氧碳含量：FTIR光谱法测定氧（510⁵-210⁸atoms/cm）、碳（110⁶-510⁷atoms/cm）
3.晶体缺陷：X射线形貌术检测位错密度（＜500/cm）、层错及微缺陷
4.表面平整度：原子力显微镜测量粗糙度Ra值（≤0.2nm）
5.载流子寿命：微波光电导衰减法测试（≥100μs）

检测范围

1.单晶硅棒：直径200-450mm直拉/区熔单晶
2.多晶硅锭：太阳能级纯度99.9999%以上铸锭
3.抛光硅片：200/300mm晶圆TTV≤2μm
4.外延硅片：外延层厚度1-100μm偏差3%
5.SOI硅片：埋氧层厚度50-2000nm均匀性＞98%

检测方法

1.ASTMF723：直流四探针电阻率测试规程
2.ASTMF1619：红外吸收法测定间隙氧含量
3.ISO14707：GDMS深度剖析金属杂质（Fe,Cu,Ni＜110⁰atoms/cm）
4.GB/T1550：半导体材料导电类型判定规范
5.GB/T14144：硅单晶中空洞缺陷X射线检测方法

检测设备

1.KDY-1型四探针测试仪：0.1mΩcm-10kΩcm量程
2.BrukerVERTEX80v傅里叶红外光谱仪：4cm⁻分辨率
3.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：ppt级金属杂质分析
4.HitachiSU5000场发射扫描电镜：0.8nm@15kV分辨率
5.BrukerD8DiscoverX射线衍射仪：ω扫描模式缺陷分析
6.SemilabWT-2000少子寿命测试仪：0.1μs-10ms测量范围
7.KLATencorSurfscanSP3无图形晶圆缺陷检测系统：＞45nm颗粒灵敏度
8.VeecoDimensionIcon原子力显微镜：0.1nm垂直分辨率
9.OxfordInstrumentsEBSD探测器：晶体取向分析精度0.5
10.Agilent5500SPM/STM系统：原子级表面形貌表征