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概述:检测项目1.阳电子能量分布:测量范围0.1-1000keV,能量分辨率≤0.5%2.湮灭寿命谱:时间分辨率180-220ps,探测效率≥70%3.多普勒展宽谱:能量分辨率1.3-1.8keV(FWHM@511keV)4.正电子迁移率:测试精度5%@300K5.缺陷浓度分析:灵敏度≥10⁵cm⁻空位型缺陷检测范围1.半导体材料:硅基晶圆、GaN外延片等带隙结构表征2.金属合金:铝合金晶界缺陷、钛合金空位簇分析3.高分子材料:聚合物自由体积分布测定4.核医学药剂:放射性同位素正电子发射效率验证5.超导材料:铜
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。
1.阳电子能量分布:测量范围0.1-1000keV,能量分辨率≤0.5%
2.湮灭寿命谱:时间分辨率180-220ps,探测效率≥70%
3.多普勒展宽谱:能量分辨率1.3-1.8keV(FWHM@511keV)
4.正电子迁移率:测试精度5%@300K
5.缺陷浓度分析:灵敏度≥10⁵cm⁻空位型缺陷
1.半导体材料:硅基晶圆、GaN外延片等带隙结构表征
2.金属合金:铝合金晶界缺陷、钛合金空位簇分析
3.高分子材料:聚合物自由体积分布测定
4.核医学药剂:放射性同位素正电子发射效率验证
5.超导材料:铜氧化物超导体氧空位浓度检测
1.ASTMF1234-18:正电子湮灭寿命谱法测定金属缺陷标准
2.ISO21466:2020:半导体材料正电子迁移率测试规范
3.GB/T38721-2020:慢正电子束多普勒展宽测量方法
4.IEC62832-6:2021:放射性药物正电子发射强度校准规程
5.GB11606.5-2021:高纯锗探测器能谱分析技术要求
1.OrtecGEM-FX7035:高纯锗探测器(能量分辨率1.7keV@1.33MeV)
2.CanberraLynx-IPS:数字化多道能谱仪(4096通道精度)
3.FastComTecP7889:快符合时间数字转换器(25ps时间分辨率)
4.BrukerD8ADVANCE:X射线衍射联用正电子源系统(Cu靶Kα辐射)
5.KEKSlowPositronFacility:慢正电子束流装置(束流强度10⁶e+/s)
6.AmetekDSP-9660:数字信号处理多参数分析系统
7.Agilent5500LS:原子力显微镜联用正电子探针模块
8.HamamatsuH11600-100:光电倍增管阵列(单光子时间响应200ps)
9.OxfordInstrumentsISIS300:同步辐射正电子源加速器(束斑直径≤1mm)
10.ShimadzuEDX-8000:能量色散X射线荧光联用系统(Be窗探测器)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"阳电子检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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