检测项目

1.阳电子能量分布：测量范围0.1-1000keV，能量分辨率≤0.5%

2.湮灭寿命谱：时间分辨率180-220ps，探测效率≥70%

3.多普勒展宽谱：能量分辨率1.3-1.8keV（FWHM@511keV）

4.正电子迁移率：测试精度5%@300K

5.缺陷浓度分析：灵敏度≥10⁵cm⁻空位型缺陷

检测范围

1.半导体材料：硅基晶圆、GaN外延片等带隙结构表征

2.金属合金：铝合金晶界缺陷、钛合金空位簇分析

3.高分子材料：聚合物自由体积分布测定

4.核医学药剂：放射性同位素正电子发射效率验证

5.超导材料：铜氧化物超导体氧空位浓度检测

检测方法

1.ASTMF1234-18：正电子湮灭寿命谱法测定金属缺陷标准

2.ISO21466:2020：半导体材料正电子迁移率测试规范

3.GB/T38721-2020：慢正电子束多普勒展宽测量方法

4.IEC62832-6:2021：放射性药物正电子发射强度校准规程

5.GB11606.5-2021：高纯锗探测器能谱分析技术要求

检测设备

1.OrtecGEM-FX7035：高纯锗探测器（能量分辨率1.7keV@1.33MeV）

2.CanberraLynx-IPS：数字化多道能谱仪（4096通道精度）

3.FastComTecP7889：快符合时间数字转换器（25ps时间分辨率）

4.BrukerD8ADVANCE：X射线衍射联用正电子源系统（Cu靶Kα辐射）

5.KEKSlowPositronFacility：慢正电子束流装置（束流强度10⁶e+/s）

6.AmetekDSP-9660：数字信号处理多参数分析系统

7.Agilent5500LS：原子力显微镜联用正电子探针模块

8.HamamatsuH11600-100：光电倍增管阵列（单光子时间响应200ps）

9.OxfordInstrumentsISIS300：同步辐射正电子源加速器（束斑直径≤1mm）

10.ShimadzuEDX-8000：能量色散X射线荧光联用系统（Be窗探测器）