超突变结检测

检测项目

1.载流子浓度梯度：测量掺杂浓度变化率（cm⁻⁴），精度5%

2.反向击穿电压：测试范围0-3000V，分辨率1mV

3.漏电流密度：量程1nA/cm-10mA/cm，温度补偿范围-65℃~200℃

4.界面态密度：采用高频C-V法测量（1MHz），灵敏度≥110⁰cm⁻eV⁻

5.热阻系数：温度循环测试（-55℃~175℃），温变速率15℃/min

检测范围

1.硅基超突变结二极管（SJ-Diode）

2.碳化硅（SiC）功率器件外延层

3.氮化镓（GaN）HEMT异质结结构

4.磷化铟（InP）光电器件pn结

5.锗硅（SiGe）异质结双极晶体管

检测方法

ASTMF1392-00(2018)：半导体材料载流子浓度测试规范

ISO16700:2016：扫描电子显微镜定量分析方法

GB/T14862-2018：半导体器件表面缺陷检验方法

IEC60749-25:2021：半导体器件温度循环试验标准

JESD22-A108F：电子器件稳态寿命试验规范

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A脉冲测试

2.ThermoScientificHeliosG4UXe双束电镜：0.6nm分辨率界面分析

3.Keithley4200A-SCS参数分析系统：皮安级漏电流测量模块

4.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：晶格畸变率测量精度0.0001

5.CascadeSummit12000探针台：支持450℃高温晶圆级测试

6.AgilentE4990A阻抗分析仪：1MHz-3GHz频段C-V特性测试

7.TemptronicTP04300热流仪：-70℃~300℃快速温变控制

8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100ICP刻蚀机：界面处理工艺验证

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"超突变结检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。