检测项目

1.数据保持能力：温度循环(-40℃~125℃)条件下数据保留时长≥10年

2.写入速度：单字节写入时间≤50ns（NOR型）或页写入时间≤200μs（NAND型）

3.耐久性测试：MLC型闪存擦写次数≥3000次/P-Ecycle

4.功耗特性：工作电流≤15mA@3.3V，待机电流≤5μA

5.接口兼容性：SPI/I2C总线时序偏差≤5%时钟周期

检测范围

1.NAND闪存芯片：包括SLC/MLC/TLC架构的2D/3DNAND产品

2.DRAM模块：DDR4/DDR5内存条及LPDDR移动存储器件

3.EEPROM芯片：I2C/SPI接口的256Kb~4Mb容量存储单元

4.NOR闪存：并行/串行接口的512Kb~2Gb容量产品

5.MRAM存储器：Toggle/STT-MRAM的128Kb~64Mb器件

检测方法

1.ASTMF2183-19闪存耐久性加速测试方法

2.ISO/IEC10373-6非接触式存储卡电气特性测试规范

3.GB/T26248-2010电可擦除可编程只读存储器测试方法

4.JEDECJESD22-A117E数据保持能力评估标准

5.GB/T2423.22-2012温度变化试验程序

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持nA级漏电流测量及Vth漂移分析

2.ThermoScientificT3Ster动态热阻测试系统：结温测量精度0.1℃

3.ESPECSH-642高低温试验箱：温变速率15℃/min，温度范围-70℃~180℃

4.AdvantestT2000存储芯片测试系统：支持DDR5-6400信号完整性验证

5.Chroma3380P闪存寿命测试机：并行测试256通道P/E循环

6.TektronixDPO73304S示波器：33GHz带宽验证高速接口时序

7.XeltekSuperPro6100编程器：支持30000+种存储器件烧录验证

8.HIOKIIM3590阻抗分析仪：测量存储单元电容特性(1mHz~200MHz)

9.FlukeTi450红外热像仪：空间分辨率1.1mrad定位热点缺陷

10.Agilent4338B毫欧计：接触电阻测量精度0.02%+3μΩ

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与读写存储器检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。