检测项目
结深测量：范围0.1-10 μm，精度±2%
掺杂浓度分析：检测范围1e16-1e20 atoms/cm³
横向扩散宽度：分辨率达50 nm
掺杂均匀性：面内偏差≤±5%
界面缺陷密度：检测限1e10 cm⁻²·eV⁻¹
检测范围
半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)等单晶/多晶衬底
光伏产品：晶体硅太阳能电池P-N结
集成电路：CMOS器件的源漏扩散区
光电器件：LED外延层掺杂结构
功率器件：IGBT栅极扩散层
检测方法
四探针法（ASTM F1529）：薄层电阻测量
扩展电阻法（ASTM F398）：纵向掺杂分布分析
二次离子质谱（ISO 14707）：元素深度剖析
扫描电容显微镜（GB/T 32282）：纳米级载流子浓度测绘
椭偏仪检测（GB/T 1551）：非破坏性结深测定
检测设备
NanoSpec 6100椭偏仪：0.1-100 μm结深测量
PHI 710二次离子质谱仪：检测灵敏度达ppb级
Accent HL5500霍尔测试系统：载流子浓度/迁移率同步分析
KLA-Tencor RS100扩展电阻探针台：纵向分辨率1 nm
Bruker Dimension Icon SPM：扫描电容模式界面缺陷表征