检测项目

结深测量：范围0.1-10 μm，精度±2%

掺杂浓度分析：检测范围1e16-1e20 atoms/cm³

横向扩散宽度：分辨率达50 nm

掺杂均匀性：面内偏差≤±5%

界面缺陷密度：检测限1e10 cm⁻²·eV⁻¹

检测范围

半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)等单晶/多晶衬底

光伏产品：晶体硅太阳能电池P-N结

集成电路：CMOS器件的源漏扩散区

光电器件：LED外延层掺杂结构

功率器件：IGBT栅极扩散层

检测方法

四探针法（ASTM F1529）：薄层电阻测量

扩展电阻法（ASTM F398）：纵向掺杂分布分析

二次离子质谱（ISO 14707）：元素深度剖析

扫描电容显微镜（GB/T 32282）：纳米级载流子浓度测绘

椭偏仪检测（GB/T 1551）：非破坏性结深测定

检测设备

NanoSpec 6100椭偏仪：0.1-100 μm结深测量

PHI 710二次离子质谱仪：检测灵敏度达ppb级

Accent HL5500霍尔测试系统：载流子浓度/迁移率同步分析

KLA-Tencor RS100扩展电阻探针台：纵向分辨率1 nm

Bruker Dimension Icon SPM：扫描电容模式界面缺陷表征