检测项目
晶格常数偏差检测（±0.05 Å）
棱边长度相对误差（≤0.2%）
晶面取向角偏差（±0.1°）
倒易晶胞畸变率（≤1.5%）
晶胞缺陷密度（<10³/cm²）
检测范围
金属合金：铝合金、钛合金、高温合金
半导体材料：硅单晶、GaN、SiC
陶瓷材料：氧化锆、碳化硅陶瓷
高分子晶体：聚乙烯单晶、聚丙烯晶体
纳米材料：量子点、金属有机框架（MOFs）
检测方法
X射线衍射法：ASTM E112-13、GB/T 8362-2021
电子背散射衍射（EBSD）：ISO 22278:2020
透射电子显微镜选区衍射：GB/T 28871-2012
同步辐射高分辨衍射：ISO 21466:2019
中子衍射法：ASTM E2860-12
检测设备
X射线衍射仪：PANalytical X'Pert³ MRD XL（晶格参数测定）
场发射扫描电镜：FEI Quanta FEG 650（EBSD取向分析）
透射电子显微镜：JEOL JEM-ARM200F（原子级分辨率衍射）
高能衍射仪：Bruker D8 Discover with GADDS（三维倒易空间扫描）
EBSD探测器：Oxford Instruments Symmetry（高速晶体取向标定）