检测项目
晶体结构分析（XRD衍射角范围：10°-80°，晶格常数误差≤0.001Å）
化学成分检测（Ga/P摩尔比偏差±0.5%，杂质元素含量≤50ppm）
载流子浓度（范围1×10¹⁵~1×10¹⁹ cm⁻³，霍尔效应测试）
光致发光谱（PL光谱波长范围400-700nm，分辨率0.1nm）
表面粗糙度（Ra≤0.5nm，AFM扫描面积10×10μm²）
检测范围
磷化镓单晶衬底（直径2-6英寸，厚度350-675μm）
GaP基外延薄膜（厚度0.5-5μm，掺杂浓度梯度检测）
LED芯片封装材料（热导率≥80 W/m·K）
半导体器件电极（接触电阻≤1×10⁻⁴ Ω·cm²）
纳米级GaP粉体（粒径分布D50=50-200nm）
检测方法
ASTM E395：化学分析用灼烧损失测定
ISO 14707：辉光放电光谱法测定表面成分
GB/T 17473.5：半导体材料痕量元素ICP-MS检测
JIS H 0605：薄膜厚度X射线荧光法
GB/T 1551：单晶半导体电阻率测试
检测设备
X射线衍射仪（PANalytical X'Pert3 MRD，θ-2θ扫描模式）
场发射电镜（FEI Nova NanoSEM 450，分辨率0.8nm）
霍尔效应测试系统（Lake Shore 8404，磁场强度1.5T）
光致发光谱仪（Horiba LabRAM HR，激光波长325nm）
原子力显微镜（Bruker Dimension Icon，扫描精度0.1nm）