检测项目
1.线宽测量：测量范围0.1-50μm，精度0.05μm
2.间距均匀性：相邻线条中心距偏差≤1.5%
3.边缘粗糙度：Ra值≤3nm（10μm测量长度）
4.线高一致性：高度波动≤2%（基准高度50-500nm）
5.角度偏移量：线条倾斜角偏差≤0.5（相对基准轴线）
检测范围
1.半导体光刻掩模版：铬/石英基材图形结构
2.MEMS器件：硅基微机械结构表面形貌
3.柔性电路板：铜箔蚀刻线路几何特征
4.光学光栅：周期结构衍射元件参数
5.纳米压印模板：聚合物基微纳结构复制精度
检测方法
ASTME112-13晶粒度测定中的线性分析法
ISO14606:2015扫描电镜临界尺寸测量规范
GB/T34879-2017微纳尺度几何量测量方法
ISO11039:2018原子力显微镜表面形貌表征
GB/T39143-2020集成电路用掩模版缺陷检验
检测设备
1.HitachiSU5000场发射扫描电镜：分辨率1nm@15kV
2.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：Z轴分辨率0.1nm
3.KLATencorP16+轮廓仪：重复精度0.5nm
4.ZeissAxioCSM700共聚焦显微镜：横向分辨率120nm
5.KeyenceVHX-7000数字显微镜：5000万像素全景成像
6.OlympusOLS5000激光显微镜：Z轴测量范围10mm
7.NikonMM-400测量显微镜：双频激光干涉定位系统
8.VeecoNT9100白光干涉仪：垂直分辨率0.1nm
9.LeicaDCM8三维表面分析仪：240fps高速扫描
10.ZygoNewView9000相移干涉仪：RMS重复性0.01nm