检测项目

1.线宽测量：测量范围0.1-50μm，精度0.05μm

2.间距均匀性：相邻线条中心距偏差≤1.5%

3.边缘粗糙度：Ra值≤3nm（10μm测量长度）

4.线高一致性：高度波动≤2%（基准高度50-500nm）

5.角度偏移量：线条倾斜角偏差≤0.5（相对基准轴线）

检测范围

1.半导体光刻掩模版：铬/石英基材图形结构

2.MEMS器件：硅基微机械结构表面形貌

3.柔性电路板：铜箔蚀刻线路几何特征

4.光学光栅：周期结构衍射元件参数

5.纳米压印模板：聚合物基微纳结构复制精度

检测方法

ASTME112-13晶粒度测定中的线性分析法

ISO14606:2015扫描电镜临界尺寸测量规范

GB/T34879-2017微纳尺度几何量测量方法

ISO11039:2018原子力显微镜表面形貌表征

GB/T39143-2020集成电路用掩模版缺陷检验

检测设备

1.HitachiSU5000场发射扫描电镜：分辨率1nm@15kV

2.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：Z轴分辨率0.1nm

3.KLATencorP16+轮廓仪：重复精度0.5nm

4.ZeissAxioCSM700共聚焦显微镜：横向分辨率120nm

5.KeyenceVHX-7000数字显微镜：5000万像素全景成像

6.OlympusOLS5000激光显微镜：Z轴测量范围10mm

7.NikonMM-400测量显微镜：双频激光干涉定位系统

8.VeecoNT9100白光干涉仪：垂直分辨率0.1nm

9.LeicaDCM8三维表面分析仪：240fps高速扫描

10.ZygoNewView9000相移干涉仪：RMS重复性0.01nm