检测项目
1. 晶粒尺寸(0.1-500μm)
2. 界面结合状态判定
3. 孔洞缺陷率(0.01-5%)
4. 层间厚度(0.1-100μm)
5. 金属间化合物形貌分析
检测范围
1. 硅芯片：单晶/多晶结构
2. 焊线界面：金线/铜线键合
3. 塑封料截面：EMC结构
4. 基板金属层：铜箔/镍层
5. 芯片键合层：银胶/烧结银
检测方法
1. GB/T 13298-2015 金属显微组织检验方法
2. JEDEC JESD22-A117-2018 芯片截面分析
3. ASTM E3-2017 金相试样制备
4. GB/T 6394-2017 金属平均晶粒度测定
5. SEMI M43-2018 晶圆缺陷检测
检测设备
1. 金相显微镜(Olympus GX53)：放大50-1000倍
2. 扫描电子显微镜(ZEISS Sigma 300)：放大10-100000倍
3. 金相切割机(Struers Secotom)：精度0.01mm
4. 金相镶嵌机(Struers CitoPress)：压力300bar
5. 金相抛光机(Struers Tegramin)：转速50-600rpm
6. 离子减薄仪(Gatan 691)：离子束0-10kV
7. 能谱仪(Oxford X-MaxN)：元素分析Be-U
8. 图像分析软件(Image-Pro Plus)
9. FIB聚焦离子束(FEI Helios G4)：精度2.5nm