半导体质量杂质测试

检测项目

1.金属杂质分析：铁、铜、镍、铬、钠、钾、钙、铝等金属元素含量测定。

2.非金属杂质分析：碳、氧、氮、硫、氯、氟、磷、硼等非金属元素含量测定。

3.痕量元素检测：痕量重金属、痕量碱金属、痕量过渡金属、痕量轻元素分析。

4.表面污染检测：表面金属残留、离子残留、有机残留、清洗后污染物残留检测。

5.颗粒污染分析：微粒数量、粒径分布、颗粒形貌、颗粒成分分析。

6.薄膜成分检测：薄膜元素组成、杂质掺入情况、膜层均匀性、界面成分变化分析。

7.晶圆洁净度检测：表面洁净度、局部污染点、附着残留、清洁工艺后杂质水平评估。

8.深度分布分析：杂质元素深度分布、表层与体相成分差异、扩散层杂质变化、界面层元素分布。

9.局部微区成分分析：微区元素识别、缺陷区域成分测定、异常点杂质分析、局部污染来源判定。

10.掺杂相关检测：掺杂元素种类、掺杂浓度、分布均匀性、异常掺杂偏差分析。

11.化学残留检测：酸碱残留、清洗剂残留、蚀刻后残留、工艺药液带入污染分析。

12.材料纯度评估：主成分纯度、杂质总量、批次间纯度一致性、原料纯净度分析。

检测范围

半导体硅片、抛光硅片、外延片、晶圆、砷化物材料、氮化物材料、碳化物材料、光刻胶材料、靶材、溅射薄膜、绝缘薄膜、导电薄膜、封装基板、引线框架、电子特气相关沉积样品、清洗后表面样品、蚀刻后样品、沉积后样品、扩散后样品、失效分析样品

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量及超痕量金属元素检测，适合多元素同时定量分析。

2.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于多种元素含量测定，适用于材料中常量及微量杂质分析。

3.辉光放电质谱仪：用于高纯材料中痕量杂质元素分析，适合固体样品直接检测。

4.二次离子质谱仪：用于表面、微区及深度方向的元素分布测试，可分析杂质深度剖面。

5.射线光电子能谱仪：用于表面元素组成及化学状态分析，适合薄膜与表面污染研究。

6.电子探针显微分析仪：用于微区成分定量与元素分布分析，可辅助缺陷区域成分识别。

7.扫描电子显微镜：用于颗粒形貌观察、表面缺陷检查及局部污染区域定位。

8.能谱分析仪：用于样品局部区域元素定性与半定量分析，常配合显微观察开展测试。

9.离子色谱仪：用于阴离子和阳离子残留检测，适合表面离子污染分析。

10.原子吸收光谱仪：用于特定金属元素含量测定，适用于杂质元素定量分析。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"半导体质量杂质测试"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。