可送检的样品类型与对应检测项目
| 样品类型 | 典型应用场景 | 主要检测项目 | 常用方法 / 参考 |
|---|---|---|---|
| 高纯银锭（4N~5N） | 光伏背板靶材、半导体互连材料、电镀阳极原料 | 主成分银量、铜铅铁铋锑钯硒碲金铂等约二十项痕量杂质、杂质加和、表面质量、锭重与尺寸偏差 | GB/T 39810-2021《高纯银锭》；GB/T 36590-2018《高纯银化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法》；差减法定银量 |
| 电解高纯银粉、银粒 | 导电银浆、电子触点、抗菌材料原料 | 纯度等级、铜铅铁铋锑单项杂质、松装密度、筛余物 | GB/T 11067系列《银化学分析方法》；ICP发射光谱法；火焰原子吸收光谱法 |
| 溅射镀膜用高纯银靶坯 | PVD镀膜、显示反射膜、低温共烧基板金属化 | 痕量杂质全谱、氧碳硫间隙元素、致密度、晶间析出相 | GB/T 36590-2018 辉光放电质谱法；GB/Z 122-2025 辉光放电质谱操作程序；惰气熔融红外法 |
| 电镀银阳极板、银板 | 装饰电镀、连接器镀银、工业功能电镀 | 银量、铜铅铁等常规杂质、溶解残渣量 | GB/T 11067.1-2006 氯化银沉淀-火焰原子吸收光谱法；GB/T 11067.2-2006 铜量测定 |
| 高纯银丝、银带 | 键合线、RFID天线、柔性电路与低温钎料 | 纯度、金钯铂族杂质、抗拉强度、断后伸长率 | GB/T 11067.7-2024 金钯量ICP发射光谱法；ICP-OES；微机控制电子万能试验机 |
| 粗银、合质银（中间品） | 冶炼中间产品、回收银提纯前评价 | 银品位、金铜铅含量、火试金损失 | GB/T 18307-2001《粗银化学分析方法》；火试金重量法；EDTA滴定法 |
检测项目
1. 主成分银量：高纯银锭Ag≥99.99%~99.999%（4N~5N级），靶材及键合用银可达99.9999%（6N级），以差减法（100%减杂质加和）核定，必要时按GB/T 11067.1直接测定复核
2. 痕量杂质元素（辉光放电质谱全谱）：Cu、Pb、Fe、Bi、Sb、Pd、Se、Te、Zn、Cd、Ni、Sn、Au、Pt、Rh、Ir、Mn、Mg、Al等约二十项，单项检出下限0.01~0.1ppm，5N级杂质加和≤10ppm
3. 常规金属杂质（ICP-OES/原子吸收）：Cu≤2~10ppm、Pb≤1~5ppm、Fe≤1~5ppm、Bi≤1~5ppm、Sb≤1~3ppm、Se和Te≤1~3ppm、Pd和Au≤1~5ppm
4. 间隙元素含量：O≤5~20ppm（惰气熔融红外法）、C≤10~30ppm、S≤5~10ppm（高频燃烧红外法），靶材级对氧要求最严
5. 表观与物理项目：锭面平整无夹渣飞边，锭重与尺寸偏差符合标准锭型（如15kg锭型）或合同约定，密度（20℃）≥10.49g/cm³，熔点961.8℃核对
检测范围
1. 高纯银锭：Ag99.99、Ag99.995、Ag99.999等级（GB/T 39810-2021）
2. 电解银粉与银粒：4N级，银浆、触点、抗菌剂原料
3. 溅射靶材银坯：4N~5N级，光伏背板与显示反射膜用
4. 电镀银阳极板：99.99%级，装饰与功能电镀槽用
5. 高纯银丝银带：5N级键合线、RFID与柔性电路用
6. 粗银与合质银：冶炼中间品与回收银，Ag品位95%~99.5%
检测方法
1. GB/T 39810-2021 高纯银锭
2. GB/T 36590-2018 高纯银化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法
3. GB/T 11067.1-2006 银化学分析方法 银量的测定 氯化银沉淀-火焰原子吸收光谱法
4. GB/T 11067.3-2006 银化学分析方法 硒和碲量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
5. GB/T 11067.7-2024 银化学分析方法 第7部分：金、钯量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
6. GB/T 18307-2001 粗银化学分析方法
7. GB/Z 122-2025 表面化学分析 辉光放电质谱 操作程序
检测设备
1. 辉光放电质谱仪（GD-MS，Thermo Element GD型）：固体直接进样，检出限达亚ppb级，一次分析覆盖75种以上元素
2. 电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES，Agilent 5800型）：波长范围165~900nm，多元素同测，痕量检出限达ppb级
3. 电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS，Agilent 7900型）：m/z范围2~260，检出限达ppt级
4. 火焰/石墨炉原子吸收光谱仪（PerkinElmer PinAAcle 900T型）：波长185~900nm，石墨炉检出限低至pg级
5. 原子荧光光谱仪（AFS，海光AFS-85型）：测砷锑铋硒碲，检出限0.01~0.05μg/L
6. 氧氮氢分析仪（LECO ONH836型）：氧测定范围0.05ppm~5%，脉冲炉温2500℃以上
7. 碳硫分析仪（LECO CS844型）：碳0.6ppm~6%，高频感应燃烧红外吸收法
8. 电子分析天平（Mettler Toledo XP205型）：读数精度0.01mg，量程82~220g
9. 火试金灰吹炉：控温900~1100℃，精度±5℃，配镁砂灰皿
10. 马弗炉：室温~1200℃，用于熔融制样与退火处理，控温精度±2℃