硅传感器检测

检测项目

灵敏度检测：量程0.1-100mV/V，误差≤±0.5%FS

温度系数测试：-40℃~+150℃范围内温漂≤0.02%/℃

线性度校准：全量程非线性误差≤±0.3%

响应时间测定：阶跃信号上升时间＜10μs

长期稳定性验证：1000小时连续运行输出漂移＜±0.1%

检测范围

压阻式硅压力传感器

MEMS硅基加速度传感器

硅光电池光电传感器

微机械陀螺仪惯性传感器

生物医学硅基pH传感器

检测方法

灵敏度测试：ASTM E207-06(2020)标准静态载荷法

温度特性分析：ISO 16063-21:2003温度循环试验规程

线性度校准：GB/T 15478-2015压力传感器性能试验方法

动态响应检测：ISO 5725-2:2019阶跃信号激励法

老化试验：GB/T 18459-2015传感器长期稳定性评估规范

检测设备

KEYSIGHT 34972A数据采集系统：支持0.001%分辨率的多通道同步测量

FLUKE 754过程校准器：提供±0.005%精度的压力/温度复合标定

MTS 793液压伺服测试台：实现200kN动态载荷下的机械性能测试

Agilent 4156C半导体参数分析仪：用于纳米级硅元件电特性表征

THERMOTRON 3800环境试验箱：-70℃~+180℃温控范围，湿度控制精度±2%RH

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"硅传感器检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。