检测项目
1.缺陷能级浓度：测量范围110⁰~110⁶cm⁻，分辨率5%
2.载流子捕获截面：分析电子/空穴捕获截面σₙ/σₚ（10⁻⁴~10⁻⁶cm）
3.激活能测定：温度范围80-500K，精度0.02eV
4.陷阱密度分布：空间分辨率≤0.1μm，能量分辨率0.03eV
5.复合寿命测试：时间分辨率1ns-10s，误差3%
检测范围
1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等单晶/多晶材料
2.光伏器件：PERC电池、HJT异质结组件、钙钛矿薄膜
3.功率电子器件：IGBT模块、SiCMOSFET晶圆
4.光电探测器：InGaAs红外传感器、HgCdTe焦平面阵列
5.储能材料：锂离子电池正极材料(NCM/LFP)、固态电解质膜
检测方法
ASTMF42-19：半导体深能级瞬态谱(DLTS)标准测试规程
ISO18552:2017：光伏材料缺陷态密度热激电流法(TSC)
GB/T35032-2018：宽禁带半导体深能级瞬态傅里叶谱测试规范
IEC62805-2:2020：光伏器件载流子寿命微波光电导衰减(μ-PCD)法
GB/T39143-2020：功率电子器件热激电容(TSCAP)测试方法
检测设备
1.深能级瞬态谱仪DLTS-8000：分辨率0.01eV，温度扫描范围77-700K
2.热激电流测试系统TSC-200：电流灵敏度1fA，控温精度0.1K
3.微波光电导仪μ-PCD-EX3：载流子寿命测量范围10ns-10ms
4.傅里叶变换DLTS系统FT-DLTSPro：频率范围1mHz-10MHz
5.低温探针台CPX-VF：真空度≤510⁻⁶Torr，磁场强度0-1T可调
6.光致发光谱仪PL-QE6500：光谱分辨率0.05nm，低温至4K测试能力
7.电容电压测试仪CV-IVPro：频率范围1kHz-10MHz，电压偏置100V
8.瞬态吸收光谱仪TAS-HP300：时间分辨率200fs，波长范围250-2500nm
9.原子探针层析仪LEAP5000XR：三维原子尺度缺陷分析
10.扫描隧道显微镜STM-Nano4：表面态密度测量精度0.01eV⁻cm⁻