检测项目

1.缺陷能级浓度：测量范围110⁰~110⁶cm⁻，分辨率5%

2.载流子捕获截面：分析电子/空穴捕获截面σₙ/σₚ（10⁻⁴~10⁻⁶cm）

3.激活能测定：温度范围80-500K，精度0.02eV

4.陷阱密度分布：空间分辨率≤0.1μm，能量分辨率0.03eV

5.复合寿命测试：时间分辨率1ns-10s，误差3%

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等单晶/多晶材料

2.光伏器件：PERC电池、HJT异质结组件、钙钛矿薄膜

3.功率电子器件：IGBT模块、SiCMOSFET晶圆

4.光电探测器：InGaAs红外传感器、HgCdTe焦平面阵列

5.储能材料：锂离子电池正极材料(NCM/LFP)、固态电解质膜

检测方法

ASTMF42-19：半导体深能级瞬态谱(DLTS)标准测试规程

ISO18552:2017：光伏材料缺陷态密度热激电流法(TSC)

GB/T35032-2018：宽禁带半导体深能级瞬态傅里叶谱测试规范

IEC62805-2:2020：光伏器件载流子寿命微波光电导衰减(μ-PCD)法

GB/T39143-2020：功率电子器件热激电容(TSCAP)测试方法

检测设备

1.深能级瞬态谱仪DLTS-8000：分辨率0.01eV，温度扫描范围77-700K

2.热激电流测试系统TSC-200：电流灵敏度1fA，控温精度0.1K

3.微波光电导仪μ-PCD-EX3：载流子寿命测量范围10ns-10ms

4.傅里叶变换DLTS系统FT-DLTSPro：频率范围1mHz-10MHz

5.低温探针台CPX-VF：真空度≤510⁻⁶Torr，磁场强度0-1T可调

6.光致发光谱仪PL-QE6500：光谱分辨率0.05nm，低温至4K测试能力

7.电容电压测试仪CV-IVPro：频率范围1kHz-10MHz，电压偏置100V

8.瞬态吸收光谱仪TAS-HP300：时间分辨率200fs，波长范围250-2500nm

9.原子探针层析仪LEAP5000XR：三维原子尺度缺陷分析

10.扫描隧道显微镜STM-Nano4：表面态密度测量精度0.01eV⁻cm⁻

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与捕获能级检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。