后曝光检测

检测项目

1.光刻胶残留膜厚：测量范围50-500nm，精度1.5nm（台阶仪）
2.线宽偏差：CD-SEM测量关键尺寸，公差5nm（1X节点）
3.套刻精度：OVL误差≤3nm（双光束激光干涉仪）
4.显影缺陷密度：明场检测＞0.12μm缺陷颗粒
5.表面粗糙度：AFM测量Ra≤0.8nm（100μm区域）

检测范围

1.I线/KrF/ArF光刻胶体系
2.300mm硅基半导体晶圆
3.EUV掩膜版（含Mo/Si多层膜结构）
4.微透镜阵列（MLA）光学元件
5.OLED显示面板TFT阵列

检测方法

1.ASTMF3131-18光刻胶膜厚椭圆偏振测量法
2.ISO14648-2:2001显微图像尺寸计量规范
3.GB/T16594-2008微米级长度扫描电镜测量方法
4.SEMIP35-1108半导体晶圆套刻误差测试规程
5.GB/T39143-2020集成电路用掩模版缺陷检验方法

检测设备

1.HitachiCG6300CD-SEM：分辨率0.8nm线宽测量
2.KLAArcher500OVL：套刻精度0.5nm
3.BrukerDimensionIconAFM：原子级表面形貌分析
4.NanometricsAtlas-M+椭偏仪：膜厚测量重复性0.1nm
5.LasertecM7360明场检测机：0.08μm缺陷捕捉率＞99%
6.ZygoNewView9000白光干涉仪：三维形貌重建精度0.1nm
7.ThermoFisherHeliosG4UXFIB-SEM：横截面剖面分析
8.ParkSystemsNX-Hivision：12英寸晶圆自动化AFM
9.RudolphFEIII双光束干涉仪：实时形变监测
10.Keysight9500原子探针：材料成分三维重构

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"后曝光检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。