晶带曲线检测概述:检测项目1.晶带宽度测定:分辨率0.05μm,测量范围0.1-500μm2.曲率半径分析:精度达R0.01mm,适用半径范围0.1-50mm3.位错密度计算:电子背散射衍射(EBSD)法测定密度误差≤10^4/cm4.界面结合强度测试:载荷范围0.1-500N,位移分辨率0.01μm5.晶体取向偏差测量:角度分辨率≤0.1,扫描步长0.5-10μm可调检测范围1.金属合金:钛合金TC4、镍基高温合金Inconel718等锻件2.半导体材料:单晶硅片(直径≤300mm)、GaN外延层3.陶瓷基复合材料:Si
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。
1.晶带宽度测定:分辨率0.05μm,测量范围0.1-500μm
2.曲率半径分析:精度达R0.01mm,适用半径范围0.1-50mm
3.位错密度计算:电子背散射衍射(EBSD)法测定密度误差≤10^4/cm
4.界面结合强度测试:载荷范围0.1-500N,位移分辨率0.01μm
5.晶体取向偏差测量:角度分辨率≤0.1,扫描步长0.5-10μm可调
1.金属合金:钛合金TC4、镍基高温合金Inconel718等锻件
2.半导体材料:单晶硅片(直径≤300mm)、GaN外延层
3.陶瓷基复合材料:SiC/SiC涡轮叶片、Al₂O₃-ZrO₂梯度材料
4.增材制造部件:SLM成型316L不锈钢、EBM钛合金骨科植入物
5.薄膜涂层材料:PVD/CVD沉积的TiN/Al₂O₃多层膜结构
1.ASTME112-13晶粒尺寸测定标准中晶带参数测量规范
2.ISO24173:2009电子背散射衍射取向分析方法
3.GB/T13301-2019金属材料晶体缺陷测定通用规则
4.ASTME2860-12三维晶体取向成像标准测试方法
5.GB/T38823-2020增材制造金属零件显微结构评价指南
1.ZeissSigma500场发射扫描电镜:配备OxfordSymmetryEBSD探测器
2.BrukerD8DiscoverX射线衍射仪:配置HI-STAR二维探测器
3.ShimadzuEZ-Test万能试验机:搭配TRAPEZIUMX力学分析软件
4.OlympusEPOCH650超声波探伤仪:128元素相控阵探头组
5.KeyenceVHX-7000数字显微镜:20-6000倍连续
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与晶带曲线检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。