集成电路用高纯铜合金靶材化学成分分析

检测项目

1.主成分含量分析：测定铜及主要合金元素的百分含量，确保合金配比符合设计要求。

2.碱金属杂质检测：分析钠、钾、锂等影响半导体电学性能的碱金属元素含量。

3.过渡金属元素分析：检测铁、镍、铬、锰、钴、钒、锌等过渡金属杂质的浓度。

4.重金属杂质分析：测定铅、镉、汞、铋等对半导体工艺有害的重金属元素。

5.放射性元素检测：分析铀、钍等可能引起集成电路软误差的放射性同位素含量。

6.气体元素含量测定：检测材料内部溶解的氧、氮、氢含量，评估材料的致密性与纯净度。

7.非金属元素分析：测定材料中的微量碳与硫含量，监控冶炼过程中的杂质引入。

8.类金属元素检测：分析硅、磷、砷、锑、碲等杂质元素的具体含量。

9.稀土元素分析：检测材料中可能存在的微量稀土元素污染，确保高纯环境。

10.贵金属杂质检测：测定金、银、铂、钯等微量贵金属元素的残留情况。

11.表面污染分析：评估靶材表面在机械加工与清洗过程中引入的化学污染物。

12.元素分布均匀性测试：分析主要合金元素及杂质在靶材不同空间位置的分布一致性。

检测范围

高纯无氧铜靶材、铜锰合金靶材、铜铝合金靶材、铜镁合金靶材、铜钛合金靶材、超高纯铜锭、铜合金溅射靶材、集成电路布线用铜靶、半导体封装用高纯铜材、电子束蒸发铜颗粒、电镀级高纯铜球、铜合金粉末材料、扩散阻挡层配套铜合金、柔性电路板用高纯铜箔、功率半导体用铜基复合材料

检测设备

1.辉光放电质谱仪：用于直接测定固体高纯材料中从主量到超痕量的杂质元素，具有极低检出限。

2.电感耦合等离子体质谱仪：通过等离子体化后进行质量分析，适用于多种微量及痕量元素的定量检测。

3.电感耦合等离子体发射光谱仪：利用原子发射光谱对多元素进行同时定量分析，适用于中高含量元素的测定。

4.脉冲加热惰气熔融红外吸收法分析仪：专门用于精确测定金属材料中溶解的氧、氮、氢气体元素含量。

5.高频感应燃烧红外吸收光谱仪：通过高频氧化燃烧方式测定材料中的超低碳和超低硫含量。

6.原子吸收光谱仪：基于原子蒸气对特定波长光的吸收进行定量检测，常用于特定金属元素的精准分析。

7.离子色谱仪：用于分析材料表面残留或内部夹杂的微量阴阳离子杂质。

8.扫描电子显微镜配合能谱仪：在微米尺度下对靶材局部位置的化学成分进行定性与半定量分析。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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